[发明专利]具有多个磁层和间隔层的图案化垂直磁记录介质

权利要求书

1.一种图案化垂直磁记录介质，包括：

基底；

在所述基底上的非磁性衬层；

具有垂直磁各向异性的第一铁磁层（MAG1），所述第一铁磁层是包括钴、铂和铬的无氧合金；

在所述第一铁磁层上的第一非磁性间隔层（IL1）；

在IL1上的第二非磁性间隔层（IL2）；以及

在IL2上的第二铁磁层（MAG2）；并且

其中MAG1、IL1、IL2和MAG2被图案化成多个离散岛。

2.根据权利要求1所述的介质，其中MAG2是具有垂直磁各向异性并且包括Co、Pt和Cr的无氧合金；并且其中MAG2和MAG1跨IL1和IL2交换耦合。

3.根据权利要求2所述的介质，其中较之MAG1，MAG2具有更多的Pt和更少的Cr。

4.根据权利要求1所述的介质，其中MAG2是由选自Co、Fe、CoPtCr合金、CoPtCrB、NiFe和CoFe合金的材料形成并且具有大于600emu/cm³的饱和磁化强度和小于2000Oe的矫顽性的写入辅助层。

5.根据权利要求1所述的介质，其中MAG2和MAG1是交换弹性结构，其中IL具有在约0.1至3nm之间的厚度，并且其中IL2是由选自Ru、RuCo（Co大于或等于30原子%且小于或等于60原子%）和Ru-Ta₂O₅（Ta氧化物大于或等于1原子%且小于或等于25原子%）的材料形成的交换弹性耦合层。

6.根据权利要求1所述的介质，其中IL1包括选自Ru和Ru基合金的材料并且具有大于或等于0.1nm且小于或等于1.5nm的厚度，IL2包括从由Ta、Nb、Ti、Si、Mn和Hf组成的组选择的元素的一种或多种氧化物并且具有大于或等于0.2nm且小于或等于1.0nm的厚度。

7.根据权利要求6所述的介质，其中IL2基本上由Ta的氧化物组成。

8.根据权利要求6所述的介质，其中IL2是在IL1上的不连续氧化物膜簇，其中MAG2与IL1以及与IL2的氧化物簇相接触。

9.根据权利要求6所述的介质，其中IL1是在MAG1上的IL1材料的共形膜。

10.根据权利要求6所述的介质，其中IL1是在MAG1上的IL1材料的不连续膜。

11.根据权利要求1所述的介质，其中MAG2是选自FePt合金、CoPt合金、FePt-X合金和CoPt-X合金的化学有序合金，其中所述元素X选自由Ni、Au、Cu、Pd和Ag组成的组并且以小于或等于20原子百分比的量存在。

12.根据权利要求11所述的介质，其中MAG2具有大于或等于30kOe的翻转场。

13.根据权利要求11所述的介质，其中IL1选自MgO和RuAl（Al大于或等于30原子%且小于或等于70原子%）。

14.根据权利要求13所述的介质，其中IL2选自Ta₂O₅、Ru、RuCo（Co大于或等于30原子%且小于或等于70原子%）和Ru-Ta₂O₅（Ta氧化物大于或等于1原子%且小于或等于25原子%）。

15.根据权利要求1所述的介质，进一步包括在MAG2上的势垒层（BL）和在BL上的保护性外涂层（OC）。

16.根据权利要求15所述的介质，其中所述BL具有大于或等于0.5nm且小于或等于5nm的厚度并且选自Ru、W、Mo；Hf、W或Mo的氧化物以及氮化硅。

17.根据权利要求1所述的介质，进一步包括在所述非磁性衬层和MAG1之间的纳米氧化物膜（N-OX），所述N-OX包括选自Ta氧化物、Co氧化物和Ti氧化物的氧化物并且具有大于或等于0.1nm和小于或等于1.5nm的厚度。