[发明专利]GaN LED的快速退火

权利要求书

1.一种形成GaN发光二极管（LED）的方法，包括：

在基底顶上形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构；

进行该p-GaN层的快速热退火；

在该GaN多层结构顶上形成透明导电层；和

添加p-接触到该透明导电层和添加n-接触到该n-GaN层。

2.权利要求1的方法，还包括进行通过该透明导电层的快速热退火。

3.权利要求2的方法，还包括进行该p-接触的快速热退火。

4.权利要求3的方法，其中该p-接触有p-接触电阻，且所述进行p-接触的快速热退火，导致p-接触电阻的范围从约4×10^-4ohm-cm²到约1×10^-6ohm-cm²。

5.权利要求3的方法，还包括进行该n-接触的快速热退火。

6.权利要求5的方法，还包括：

在该GaN多层结构和透明导电层中形成凸缘以露出n-GaN层；和

在该露出的GaN层上形成n-接触。

7.权利要求1的方法，其中该快速热退火有从约700°C到约1,500°C范围内的最大退火温度T_AM。

8.权利要求7的方法，其中该快速热退火利用或者激光器或者闪光灯。

9.权利要求8的方法，其中该快速热退火利用以单次闪光辐照整个p-GaN层的闪光灯进行。

10.权利要求1的方法，其中该p-GaN层在快速热退火之后有从约5×10¹⁷cm^-3到约5×10¹⁹cm^-3范围内的被激活的掺杂物浓度。

11.权利要求1的方法，还包括形成该激活层以包括多量子阱结构。

12.一种形成GaN发光二极管（LED）的方法，包括：

形成有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构；

形成邻接该p-GaN层的p-接触层；

在该n-GaN层顶上形成n-接触；和

进行该n-接触的快速热退火。

13.权利要求12的方法，其中该快速热退火使用激光器或闪光灯进行。

14.权利要求13的方法，其中该n-接触有n-接触电阻，且所述进行该n-接触的快速热退火，导致n-接触电阻在从约1×10^-4ohm-cm²到约1×10^-6ohm-cm²的范围内。

15.权利要求12的方法，还包括进行有从约700°C到约1,500°C范围内的最大退火温度T_AM的快速热退火。

16.一种GaN发光二极管（LED），包括：

基底；

在该基底顶上形成的并有当中夹入激活层的n-GaN层和p-GaN层的GaN多层结构，其中该p-GaN层包括有大于约5×10¹⁷cm^-3和直到约5×10¹⁹cm^-3的被激活的掺杂物浓度的快速热退火层；

在该GaN多层结构顶上的透明导电层；

在该透明导电层顶上形成的p-接触；和

在该n-GaN层的露出部分顶上形成的n-接触。

17.权利要求16的GaN LED，其中该快速热退火层是闪光灯快速热退火层和激光器快速热退火层之一。

18.权利要求17的GaN LED，其中该p-接触有从约4×10^-4到约1×10^-6ohm-cm²范围内的欧姆接触电阻。

19.权利要求17的GaN LED，其中该n-接触有从约1×10^-4ohm-cm²到约1×10^-6ohm-cm²范围内的n-接触电阻。