[发明专利]一种超高密度磁记录用FePt/X纳米复合薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种FePt/X纳米颗粒复合薄膜，由下至上依次设有基板、（200）取向的MgO诱导层，以及FePt/X复合膜；所述FePt/X复合膜按照先FePt薄膜后X薄膜的顺序，由FePt薄膜和X薄膜交替设置而成，其化学组成为[FePt/X]_n，其中X选自Ag、MgO、C、SiO₂或Al₂O₃，n为FePt/Ag复合膜的周期数，并且2≤n≤10。

2.如权利要求1所述的FePt/X纳米颗粒复合薄膜，其特征在于，所述基板选自金属基板、陶瓷基板或玻璃基板。

3.如权利要求2所述的FePt/X纳米颗粒复合薄膜，其特征在于，所述基板选自MgO基板、Si基板或者玻璃基板。

4.如权利要求1所述的FePt/X纳米颗粒复合薄膜，其特征在于，所述MgO诱导层厚度为2～10nm；所述FePt薄膜厚度为0.5～5nm；所述X薄膜厚度为0.5～5nm。

5.权利要求1-4任一权利要求所述FePt/X纳米颗粒复合薄膜的制备方法，具体步骤如下：

1）诱导层的制备：在基板上通过沉积法首先沉积一层取向（200）的MgO薄膜，制备得到MgO诱导层；

2）FePt/X复合膜的制备：在MgO诱导层上按照先FePt薄膜后X薄膜的顺序，依次交替沉积多层FePt薄膜和X薄膜，获得薄膜沉积产物；

3）退火处理：基板自然冷却后，在真空中对薄膜沉积产物进行退火处理制备得到FePt/X纳米颗粒复合薄膜。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤1）和步骤2）中所述沉积法为物理气相沉积法。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，步骤1）和步骤2）中所述沉积法为磁控溅射沉积法。

8.如权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射沉积法的条件为，溅射时基板温度100～400℃，溅射腔的背底真空度为0.7×10^-5～5×10^-5Pa，溅射时氩气气压为0.5～20Pa。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，步骤3）退火处理的条件为：真空度1×10^-5～10×10^-5Pa，退火温度400～600℃，退火时间0.5～2小时。

10.权利要求1-4任一权利要求所述FePt/X纳米颗粒复合薄膜作为超高密度垂直磁记录介质的应用。