[发明专利]晶体管及显示设备

权利要求书

1.一种晶体管，包括：

栅极电极层；

与所述栅极电极层相邻的栅极绝缘层；

与所述栅极电极层相邻的氧化物半导体层，所述栅极绝缘层在所述栅极电极层与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包含沟道区；以及

与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层，其中所述氧化物半导体层位于所述栅极绝缘层与所述氧化物绝缘层之间，

其中所述氧化物半导体层包括第一金属、第二金属和第三金属，

其中所述第一金属是铟，所述第二金属是锌，所述第三金属是不同于铟和锌的金属，并且

其中所述沟道区的至少一部分包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的晶体。

2.根据权利要求1所述的晶体管，其中所述氧化物半导体层在所述栅极电极层之上形成。

3.根据权利要求1所述的晶体管，还包括分别与所述氧化物半导体层相邻的源电极和漏电极，

所述源电极和所述漏电极中的每一个具有三层结构，在所述三层结构中铝夹在钛之间。

4.一种晶体管，包括：

栅极电极层；

在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层；

在所述栅极电极层之上的氧化物半导体层，所述栅极绝缘层在所述栅极电极层与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包含沟道区；

在所述氧化物半导体层之上的源极电极；

在所述氧化物半导体层之上的漏极电极；

与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层，其中所述氧化物半导体层位于所述栅极绝缘层与所述氧化物绝缘层之间，

其中所述氧化物半导体层包括第一金属、第二金属和第三金属，

其中所述第一金属是铟，所述第二金属是锌，所述第三金属是不同于铟和锌的金属，并且

其中所述沟道区的至少一部分包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的晶体。

5.一种晶体管，包括：

栅极电极层；

在所述栅极电极层之上的栅极绝缘层；

在所述栅极电极层之上的氧化物半导体层，所述栅极绝缘层在所述栅极电极层与所述氧化物半导体层之间，所述氧化物半导体层包含沟道区；

在所述氧化物半导体层之上的源极电极；

在所述氧化物半导体层之上的漏极电极；

与所述氧化物半导体层接触的氧化物绝缘层，其中所述氧化物半导体层位于所述栅极绝缘层与所述氧化物绝缘层之间，

其中所述氧化物半导体层包括第一金属、第二金属和第三金属，

其中所述第一金属是铟，所述第二金属是锌，所述第三金属是不同于铟和锌的金属，并且

其中所述沟道区的至少一部分包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的晶体，

其中所述氧化物半导体层的整体与所述栅极电极层重叠。

6.根据权利要求5所述的晶体管，其中所述栅极电极层延伸超出所述氧化物半导体层的所有外边缘。

7.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述沟道区的所述一部分包括所述氧化物半导体层的浅表部分。

8.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述晶体的尺寸在沿短轴方向的方向上为20nm以下。

9.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述氧化物半导体层贯穿所述氧化物半导体层的厚度包括沿垂直于所述氧化物半导体层的表面的方向的c轴取向的晶体。

10.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述晶体是微晶。

11.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述栅极绝缘层是氮化硅和氧氮化硅的叠层膜。

12.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述氧化物半导体层是叠层。

13.根据权利要求4或5所述的晶体管，其中所述源电极和所述漏电极中的每一个具有三层结构，在所述三层结构中铝夹在钛之间。

14.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述第三金属是镓。

15.根据权利要求1、4和5中的任一项所述的晶体管，其中所述第三金属选自镓、铝、锰、钴和锡。