[发明专利]多端口存储元件和包括其的半导体设备及系统无效
申请号: | 201210249331.X | 申请日: | 2012-07-18 |
公开(公告)号: | CN102955756A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 崔栽荣 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G06F13/38 | 分类号: | G06F13/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 王新宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 多端 存储 元件 包括 半导体设备 系统 | ||
1.一种多端口存储元件,包括:
第一端口;
不同于所述第一端口的第二端口;
耦接到所述第一端口的第一处理器能访问的第一存储区;
耦接到所述第二端口的第二处理器能访问的第二存储区;以及
所述第一处理器和所述第二处理器两者都能访问的公共存储区,包括多个存储体,
其中所述第一处理器能访问所述多个存储体中的第一存储体,同时所述第二处理器能访问所述多个存储体中的第二存储体。
2.根据权利要求1所述的多端口存储元件,其中第一数据由所述第一处理器写入所述第一存储体,同时第二数据由所述第二处理器从所述第二存储体读取。
3.根据权利要求1所述的多端口存储元件,其中所述多个存储体的每个包括信号量区、第一邮箱、第二邮箱和缓冲区。
4.根据权利要求3所述的多端口存储元件,其中所述第一邮箱存储将从所述第一处理器发送到所述第二处理器的任意消息,而所述第二邮箱存储将从所述第二处理器发送到所述第一处理器的任意消息。
5.根据权利要求3所述的多端口存储元件,其中所述缓冲区存储在所述第一处理器与所述第二处理器之间交换的任意原始数据和任意操作数据。
6.根据权利要求1所述的多端口存储元件,其中所述第二处理器不能访问所述第一存储区,而所述第一处理器不能访问所述第二存储区。
7.一种半导体设备,包括:
一个或多个非易失性存储元件;
存储控制器,控制所述一个或多个非易失性存储元件的操作;以及
多端口存储元件,包括第一端口、不同于第一端口的第二端口、耦接到所述第一端口的所述存储控制器能访问的第一存储区、耦接到所述第二端口的处理器能访问的第二存储区、以及所述存储控制器和所述处理器两者都能访问的公共存储区,
其中所述公共存储区包括多个存储体,以及
其中所述存储控制器能访问所述多个存储体中的第一存储体,同时所述处理器能访问所述多个存储体中的第二存储体。
8.根据权利要求7所述的半导体设备,其中所述第一存储区存储关于所述一个或多个非易失性存储元件的页面映射数据,而所述第二存储区是所述处理器的系统主存储器。
9.根据权利要求8所述的半导体设备,其中在所述处理器将数据写入所述第二存储体时,所述存储控制器从所述第一存储体读取数据并将所读取的数据写入所述一个或多个非易失性存储元件。
10.根据权利要求8所述的半导体设备,其中当所述处理器从所述第二存储体读取数据时,所述存储控制器从所述一个或多个非易失性存储元件读取数据并将所读取的数据写入所述第一存储体。
11.根据权利要求7所述的半导体设备,其中所述一个或多个非易失性存储元件包括一个或多个快闪存储元件。
12.根据权利要求7所述的半导体设备,还包括:
第一数据总线,连接所述存储控制器和所述多端口存储元件;
第二数据总线,连接所述处理器和所述多端口存储元件;和
第三数据总线,连接所述一个或多个非易失性存储元件和所述存储控制器,
其中所述第一数据总线的带宽和所述第二数据总线的带宽大于所述第三数据总线的带宽。
13.根据权利要求7所述的半导体设备,还包括电路板,其中所述多端口存储元件位于所述电路板的第一表面上,而所述一个或多个非易失性存储元件和所述存储控制器中的至少一个位于所述电路板的不同于所述第一表面的第二表面上。
14.根据权利要求7所述的半导体设备,还包括电路板,其中易失性存储元件位于所述电路板的第一表面上,而所述一个或多个非易失性存储元件、所述多端口存储元件以及所述存储控制器中的至少一个位于所述电路板的不同于所述第一表面的第二表面上。
15.根据权利要求7所述的半导体设备,还包括顺序堆叠的第一电路板和第二电路板,其中易失性存储元件位于所述第一电路板上,所述一个或多个非易失性存储元件、所述多端口存储元件以及所述存储控制器中的至少一个位于所述第二电路板上。
16.根据权利要求14所述的半导体设备,其中所述一个或多个非易失性存储元件包括动态随机存取存储器(DRAM)元件。
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