[发明专利]非易失性临时数据处理有效

专利信息
申请号: 201210248924.4 申请日: 2012-07-18
公开(公告)号: CN102890620A 公开(公告)日: 2013-01-23
发明(设计)人: N·J·瓦克拉特;D·J·波斯特 申请(专利权)人: 苹果公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 陈新
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 非易失性 临时 数据处理
【说明书】:

技术领域

本公开涉及非易失性临时数据处理。

背景技术

NAND闪存以及其它类型的非易失性存储器(NVM)通常被应用在电子设备中用作大容量存储。例如,诸如便携式媒体播放器的消费电子设备往往包括NAND闪存来存储音乐、视频以及其它媒体程序。这样的数据通常打算要长期存储,例如,以天、月或甚至年的量级。

NVM还可被用在电子设备中用于不同于长期存储的其它目的。例如,电子设备可能临时将来自易失性存储器的数据存储在NVM中以使得易失性存储器能够在降低功率的休眠状态中断电而不丢失数据。又例如,NVM可以用在虚拟存储器方案中,来增加电子设备的易失性存储器所表现出的容量。

发明内容

提供了用于处理打算短期存储在非易失性存储器(诸如闪存)中的数据的系统和方法。通过允许与长期数据不同地处理短期存储,存储器管理效率和NVM的有效性都能够被增加。

短期存储可以包括在NVM中存储仅在操作系统的当前实例期间被需要的数据,而一旦电子设备关机或重新启动(或甚至更早)就不再有用。该数据可以被称作“非易失性临时数据”或“NV临时数据”,因为,该数据是被临时需要的,但是被存储在持久的非易失性介质中。NV临时数据可以包括例如基于硬件的休眠数据、应用产生的数据、基于应用的休眠数据、交换文件和其它临时文件。

在一些实施例中,当存储NV临时数据时,电子设备可以使用临时标记来修饰NV临时数据。例如,对于电子设备在其中存储NV临时数据的NVM的每个页面,电子设备可以在页面的元数据中包括临时标记。可替换地,电子设备可以在存储NV临时数据的块的至少一个页面中提供临时标记。这使得电子设备能够将NV临时数据与在多次设备启动(bootup)中都需要的信息进行区分。

在电子设备的启动期间,电子设备可以被配置为执行各种启动步骤,例如构建元数据表。元数据表可以包括例如表示文件系统发布的哪些逻辑地址(例如逻辑块地址(LBA))当前被分配的表,和/或逻辑至物理地址映射。电子设备可以通过扫描NVM的页面并确定每个页面是否包括临时标记(或每个页面是否位于被标记用于存储NV临时数据的块中)来创建元数据表。如果页面包括临时标记,则包括在该页面中的数据仅在上次启动电子设备时有用,并且在当前启动中不需要。因此,电子设备可以将该页面标记为具有无效数据并从元数据表中忽略该页面(及其存储的元数据)。通过在启动时执行这样的清理操作,电子设备可以保证从一开始就高效使用NVM存储位置。即,在当前启动周期中的任何时刻,电子设备都不在垃圾收集或磨损均衡的过程中执行不必要的操作来维护废弃的NV临时数据。

在一些实施例中,电子设备可以基于数据是否为NV临时数据来选择存储位置和/或用于存储数据的编程技术。例如,电子设备可以选择较低性能的存储位置,诸如较小可靠性的页面或块(例如,高度循环的块),来存储NV临时数据。在一些实施例中,电子设备可以选择较高速度的存储位置或用于存储NV临时数据的编程技术,诸如单层单元(SLC)块。

附图说明

本发明的上述和其它方面和优点将在考虑了下面结合附图的具体描述之后变得清楚,附图中相同标号表示相同部件,其中:

图1是具有根据本发明的各种实施例配置的非易失性存储器的示例性电子设备的框图;

图2和图3是根据本发明的各种实施例的存储非易失性临时数据的示例性非易失性存储位置的图形示意;

图4是根据本发明的各种实施例的使用临时标记修饰非易失性存储器中的非易失性临时数据的示例性过程的流程图;以及

图5是根据本发明的各种实施例的用于在电子设备启动时处理非易失性临时数据的示例性过程的流程图。

具体实施方式

图1是示例性电子设备100的框图。在一些实施例中,电子设备100可以是或可以包括便携式媒体播放器(例如由加州库比蒂诺的苹果公司出品的iPodTM)、蜂窝电话(例如由苹果公司出品的iPhoneTM)、口袋大小的个人计算机、个人数字助理(PDA)、桌上型计算机、膝上型计算机、以及任何其它适当类型的电子设备或系统。

电子设备100可以包括片上系统(SoC)110和非易失性存储器(NVM)120。NVM 120可以包括基于浮栅或电荷捕获技术的NAND闪存、NOR闪存、可擦除可编程只读存储器(EPROM)、电可擦除可编程只读存储器(EEPROM)、铁电RAM(FRAM)、磁阻RAM(MRAM)或其任意组合。

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