[发明专利]碳基透明电极/铁酸铋光伏器件及其制备方法无效
| 申请号: | 201210247686.5 | 申请日: | 2012-07-17 |
| 公开(公告)号: | CN102760779A | 公开(公告)日: | 2012-10-31 |
| 发明(设计)人: | 谢丹;武潇;臧永圆;任天令;陈昱;冯婷婷;李虓;朱宏伟 | 申请(专利权)人: | 清华大学 |
| 主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人: | 廖元秋 |
| 地址: | 100084*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 透明 电极 铁酸铋光伏 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种碳基透明电极/铁酸铋光伏器件,其特征在于,该光伏器件包括在衬底上从上至下依次层叠的有机保护层、前电极、铁酸铋光伏材料薄膜、后电极;所述前电极采用单层、双层或多层石墨烯薄膜或碳纳米膜中的任一种,厚度为0.5-10nm;所述铁酸铋光伏材料薄膜的厚度为100-1000nm。
2.如权利要求1所述光伏器件,其特征在于,所述光伏器件中的有机保护层使用聚甲基丙烯酸乙酯、聚二甲硅氧烷或聚乙撑二氧噻吩有机材料中的任一种,厚度为10-100nm。
3.如权利要求1所述光伏器件,其特征在于,所述后电极采用金属Cu、Au、Ag或Pt中的任一种电极材料,厚度为100-1000nm。
4.一种制备如权利要求1所述光伏器件的方法,其特征在于,该方法主要包括将浸泡在FeCl3溶液中的碳基透明电极薄膜转移至铁酸铋薄膜之上;具体包括如下步骤:1)在Si衬底或者石英衬底上制备100nm-1000nm厚度的后电极金属,得到后电极金属基片;
2)在后电极金属基片上采用Sol-Gel法制备铁酸铋光伏材料薄膜;
3)将浸泡在FeCl3溶液中的单层、双层或多层石墨烯或碳纳米管薄膜转移到退火后的BFO/金属基片上,制成碳基透明电极/BFO/金属基片;
4)将有机保护层均匀涂布在碳基透明电极/BFO/金属基片上,并置于60-80℃恒温下固化8-24h,得到碳基透明电极/铁酸铋光伏器件。
5.如权利要求4所述方法,其特征在于,所述步骤2)具体包括:
(21)将后电极金属基片先后使用丙酮、酒精、去离子水超声分别清洗3min-10min后,使用氮气枪清理表面液体;
(22)将BFO胶体均匀滴在清理后的基片表面后,在匀胶机上先使用低速600-1000r/min甩胶5-15s,再使用高速2000-5000r/min甩胶30-50s;
(23)将甩胶后的基片置于350-450℃的热板上静置5-15min,使该基片上的有机物溶剂彻底挥发;
(24)重复(21)至(23)步骤直至BFO达到所需要的厚度;
(25)对步骤(24)得到的BFO/金属基片进行退火处理;退火条件为空气气氛或氮气气氛,退火温度为550-600℃,持续10-30min,之后使基片随炉降温,以防薄膜龟裂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





