[发明专利]正型光阻清洗剂组合物

说明书

技术领域

本发明涉及一种在光刻胶的剥离中不腐蚀基板、且能有效地除去光阻膜，特别是剥离性能优异的正型光阻清洗剂组合物。

背景技术

常规半导体元件或液晶面板元件的制造步骤：首先在硅片等基板上形成蒸镀得到的导电性金属膜等绝缘膜。然后，在上述膜上均一地涂布光阻，选择性地对其进行曝光、显影，形成图案。接下来，将该图案作为掩模选择性地蚀刻上述导电性金属膜或绝缘膜，随后，用剥离液除去不要的光阻层。目前，从安全性、剥离性观点考虑使用各种有机类剥离液除去上述残留的光阻层。

而蚀刻工艺，根据其蚀刻条件在光阻表面引发复杂的化学反应，并在这种化学反应下形成表面层变质的光阻。即，变质的光阻引发用于干式蚀刻的等离子气体与基板及感光液之间的反应而生成副产品。一般情况下，如果不能稳定地去除变质的高分子物质，那么在蚀刻的图案上或在图案和图案之间就会产生光阻的残渣。这种残渣会成为在后续的成膜、照相平版印刷、蚀刻等工艺中出现断线及短路现象的主要原因，而上述问题会导致产品的可靠性、生产效率及性能降低。

现有的剥离剂对铝和铜等具有腐蚀作用。且不能满足加工图案趋于微细化的要求。基于上述各种理由，需要一种即使采用上述的有机溶剂进行处理，在对铝和铜等腐蚀小的同时，也能完全去除光阻基板上的残留物，具有强剥离能力的组合物。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是在于需要提供一种在光刻胶的剥离中不腐蚀基板、且能有效地除去光阻膜的正型光阻清洗剂组合物，从而弥补现有技术上的不足。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种正型光阻清洗剂组合物，其特征在于它包括：a)1-20重量份的N，N-二乙基羟胺；b)1-70重量份的二甘醇单烷基醚；c)1-5重量份的[式1]所示的化合物；d)1-5重量份的[式2]所示的化合物；

[式1]，上述化学式中，R1、R2分别独立或同时表示直链或支链上的C1-C5的烷基、烯丙基、C1-C5的烷基氨基、C1-C5的羟烷基、或C1-C5的烷基苯基，

[式2]。

其中，优选的含有e)0.01-10重量份的非离子表面活性剂。

其中，优选的含有f)20-90重量份的非质子极性溶剂。

其中，所述的二甘醇单烷基醚是选自丁基乙二醇、丁基二乙二醇、丁基三甘醇、甲基乙二醇、甲基二乙二醇、甲基三乙二醇、及甲基丙二醇中的至少一种化合物。

其中，所述的非质子极性溶剂是选自二甲基亚砜、N-甲基-2-吡咯烷酮、N，N-二甲基乙酰胺、N，N-二甲基甲酰胺、N，N-二甲基咪唑啉酮、及γ-丁内酯中的至少一种化合物。

其中，所述的非离子表面活性剂，是选自聚氧丙烯乙二醇醚、聚氧丙烯乙基醚、聚氧丙烯甲基醚、聚氧丙稀丁基醚、聚氧乙烯聚丙二醇醚、聚氧乙烯聚丙乙基醚、聚氧乙烯聚丙甲基醚、聚氧乙烯聚丙丁基醚中的至少一种化合物。

本发明还提供了一种所述的正型光阻清洗剂组合物在光刻胶剥离中的应用。

本发明还提供了一种如[式1]所示的化合物：

[式1]，上述化学式中，R1、R2分别独立或同时表示直链或支链上的C1-C5的烷基、烯丙基、C1-C5的烷基氨基、C1-C5的羟烷基、或C1-C5的烷基苯基。

具体实施方式

以下将结合实施例来详细说明本发明的实施方式，借此对本发明如何应用技术手段来解决技术问题，并达成技术效果的实现过程能充分理解并据以实施。

本发明的剥离液含有N，N-二乙基羟胺(以下也称为“成分(A)”)。N，N-二乙基羟胺显示还原性，可以抑制形成在基板上的含有的金属层被腐蚀。成分(A)的配合量为剥离液的1-20重量份。并且，优选1-10重量份。

所述二甘醇单烷基醚，优选使用丁基乙二醇、丁基二乙二醇、丁基三甘醇、甲基乙二醇、甲基二乙二醇、甲基三乙二醇、及甲基丙二醇等，尤其是表面张力低、燃点高的丁基二乙二醇更为有效。