[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。

背景技术

有机电致发光器件（OLED）是基于有机材料的一种电流型半导体发光器件。其典型结构是在ITO玻璃上制作一层几十纳米厚的有机发光材料作发光层，发光层上方有一层低功函数的金属电极。当电极上加有电压时，发光层就产生光辐射。

有机电致发光器件受到湿气和潮气侵蚀后，会引起有机电致发光器件内部元件的材料发生老化进而失效，从而所述有机电致发光器件的寿命较短。

发明内容

基于此，有必要提供一种寿命较长的有机电致发光器件及其制备方法。

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的具有阳极图案的导电基底、发光层、阴极、保护层、阻挡层及封装盖，保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌，阻挡层包括依次层叠的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有机阻挡膜，第一氮化物膜采用反应溅射制备，第二氮化物膜采用非反应溅射制备，第一氮化物膜的材料为Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，有机阻挡膜的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯树脂或脂肪族环氧树脂；封装盖将发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于导电基底上，封装盖的材料为PET镀铝膜。

在其中一个实施例中，所述封装盖与所述导电基底配合形成有收容腔，所述发光层、阴极、保护层及阻挡层均收容于所述收容腔。

在其中一个实施例中，所述阻挡层为3个~5个，多个所述阻挡层依次层叠。

在其中一个实施例中，所述封装盖的边缘通过封装胶与所述导电基板密封连接。

一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：

在导电基底上形成发光层；

在所述发光层上形成阴极；

在所述阴极上形成保护层，所述保护层的材料为酞菁铜、N,N′-二(1-萘基)-N,N′-二苯基-1,1′-联苯-4-4′-二胺、8-羟基喹啉铝、氧化硅、氟化镁或硫化锌；

在所述保护层上形成阻挡层，所述阻挡层包括依次层叠的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有机阻挡膜，所述第一氮化物膜采用反应溅射制备，所述第二氮化物膜采用非反应溅射制备，所述第一氮化物膜的材料为Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，所述第二氮化物膜的材料和所述第一氮化物膜的材料相同，所述有机阻挡膜的材料为聚四氟乙烯、甲基丙烯酸酯树脂或脂肪族环氧树脂；及

使用封装盖将所述发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于所述导电基底上，所述封装盖的材料为PET镀铝膜。

在其中一个实施例中，通过涂布封装胶使所述封装盖与所述导电基底密封连接以将所述发光层、阴极、保护层及阻挡层封装于所述导电基底上。

在其中一个实施例中，所述阻挡层为3个~5个，多个所述阻挡层依次层叠。

在其中一个实施例中，采用反应溅射制备所述第一氮化物膜时，本底真空度为1×10^-3Pa～1×10^-4Pa，靶材为Si、Al、B、Ta或Ti，通入气体为由氮气和氩气混合形成的混合气体，其中混合气体中氮气的体积百分含量为3%~11%。

在其中一个实施例中，采用非反应溅射制备所述第二氮化物膜时，本底真空度为1×10^-3Pa～12×10^-4Pa，靶材为Si₃N₄、AlN、BN、SiN、TaN或TiN，通入气体为氩气。

上述有机电致发光器件及其制备方法，保护层可以保护阴极，避免阴极在后续的制备工艺中受破坏，阻挡层的第一氮化物膜、第二氮化物膜及有机阻挡膜以有效的阻挡水气的腐蚀，利用两种不同的工艺制备第一氮化物膜及第二氮化物膜可以提高阻挡层的阻挡性能且可以有效的缓释膜层之间的应力；封装盖采用PET镀铝膜可有效的提高防水氧能力，从而有机电致发光器件的寿命较长。

附图说明

图1为一实施例的有机电致发光器件的结构示意图；

图2为一实施例的有机电致发光的制备方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。

请参阅图1，一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的具有阳极图案的导电基底10、功能层20、阴极30、保护层40、阻挡层50及封装盖70。