[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201210247221.X | 申请日： | 2012-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN103545367A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 锺淼钧;郑安棣;黄胤富;连士进;吴锡垣 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种半导体结构，包括：
一基体；
一栅极，位于该基体上；
一源极；
一漏极，其中该源极与该漏极分别位于该栅极的相对两侧上的该基体中；以及
一基体接触区，仅位于该基体邻近该源极的一区域中并电性连接至该基体。
2.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一通道区域，位于该栅极下方，并位于该源极与该漏极之间，该通道区域具有一第一尺寸，该基体接触区具有一第二尺寸，该第二尺寸是大于、等于该第一尺寸的50％。
3.根据权利要求2所述的半导体结构，其中该第一尺寸的方向是垂直于该第二尺寸的方向。
4.根据权利要求1所述的半导体结构，更包括一通道区域，位于该栅极下方，并位于该源极与该漏极之间，该通道区域具有一第一尺寸，该基体接触区具有一第二尺寸，该第二尺寸是大于、等于该第一尺寸的50％，并小于、等于该第一尺寸的85％。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，其中
该栅极包括一第一栅极与一第二栅极，分别位于该漏极的相反两侧上，
该源极包括一第一源极与一第二源极，该第一源极位于该第一栅极远离该漏极的一侧上，该第二源极位于该第二栅极远离该漏极的一侧上，
该基体接触区包括一第一基体接触区与一第二基体接触区，该第一基体接触区仅位于该基体邻近该第一源极的一区域中，该第二基体接触区仅位于该基体邻近该第二源极的一区域中。
6.一种半导体结构，包括：
一基体；
一栅极，位于该基体上；
一源极；
一漏极，其中该源极与该漏极分别位于该栅极的相对两侧上的该基体中；
一通道区域，位于该栅极下方，并位于该源极与该漏极之间，其中该通道区域具有一第一尺寸；以及
一基体接触区，位于该基体的一区域中并电性连接至该基体，该基体接触区具有一第二尺寸，该第二尺寸是大于、等于该第一尺寸的50％。
7.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该基体接触区仅位于该基体邻近该源极的一区域中。
8.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该第一尺寸的方向是垂直于该第二尺寸的方向。
9.根据权利要求6所述的半导体结构，其中该第二尺寸是大于、等于该第一尺寸的50％，并小于、等于该第一尺寸的85％。
10.一种半导体结构的形成方法，包括：
于一基体上形成一栅极；
于该栅极的相对两侧上的该基体中分别形成一源极与一漏极；以及
仅在该基体邻近该源极的一区域中形成一基体接触区，该基体接触区被电性连接至该基体。
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