[发明专利]发光元件、发光装置、以及电子设备有效
| 申请号: | 201210246794.0 | 申请日: | 2008-09-27 |
| 公开(公告)号: | CN102779947A | 公开(公告)日: | 2012-11-14 |
| 发明(设计)人: | 下垣智子;铃木恒德;濑尾哲史 | 申请(专利权)人: | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 王永刚 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 元件 装置 以及 电子设备 | ||
1.一种发光装置,包括:
阴极;
在所述阴极上的EL层;以及
在所述EL层上的阳极,
其中所述EL层包括空穴注入层、空穴传输层以及发光层,
其中所述空穴注入层和所述空穴传输层被置于所述发光层与所述EL层之间,
其中所述空穴传输层被置于所述空穴注入层与所述发光层之间,并且
其中所述空穴注入层的最高占据轨道能级的绝对值比所述空穴传输层的最高占据轨道能级的绝对值大。
2.一种发光装置,包括:
阴极;
在所述阴极上的EL层;以及
在所述EL层上的阳极,
其中所述EL层包括空穴注入层、空穴传输层以及发光层,
其中所述空穴注入层和所述空穴传输层被置于所述发光层与所述EL层之间,
其中所述空穴传输层被置于所述空穴注入层与所述发光层之间,并且
其中所述空穴注入层的最高占据轨道能级的绝对值比所述空穴传输层的最高占据轨道能级的绝对值和所述阴极的最高占据轨道能级的绝对值大。
3.一种发光装置,包括:
阴极;
在所述阴极上的第一EL层;
在所述第一EL层上的第二EL层;以及
在所述第二EL层上的阳极,
其中所述第二EL层包括空穴注入层、空穴传输层以及发光层,
其中所述空穴注入层和所述空穴传输层被置于所述发光层与所述第一EL层之间,
其中所述空穴传输层被置于所述空穴注入层与所述发光层之间,并且
其中所述空穴注入层的最高占据轨道能级的绝对值比所述空穴传输层的最高占据轨道能级的绝对值大。
4.一种发光装置,包括:
阴极;
在所述阴极上的第一EL层;
在所述第一EL层上的第二EL层;以及
在所述第二EL层上的阳极,
其中所述第二EL层包括空穴注入层、空穴传输层以及发光层,
其中所述空穴注入层和所述空穴传输层被置于所述发光层与所述第一EL层之间,
其中所述空穴传输层被置于所述空穴注入层与所述发光层之间,并且
其中所述空穴注入层的最高占据轨道能级的绝对值比所述空穴传输层的最高占据轨道能级的绝对值和所述阴极的最高占据轨道能级的绝对值大。
5.根据权利要求1-4中的任一项所述的发光装置,
其中所述空穴注入层的最高占据轨道能级的绝对值比所述空穴传输层的最高占据轨道能级的绝对值大0.1eV以上。
6.根据权利要求1-4中的任一项所述的发光装置,
其中所述发光层包括具有电子传输性的物质。
7.根据权利要求1-4中的任一项所述的发光装置,其中所述发光层的最高占据轨道能级的绝对值比所述空穴注入层的最高占据轨道能级的绝对值大。
8.根据权利要求1-4中的任一项所述的发光装置,其中所述空穴注入层包括过渡金属氧化物。
9.根据权利要求8所述的发光装置,其中所述过渡金属氧化物选自包含氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化钨、氧化锰的组。
10.根据权利要求3或4所述的发光装置,还包括被置于所述第一EL层与所述第二EL层之间的电荷产生层。
11.根据权利要求10所述的发光装置,其中所述电荷产生层包括具有空穴传输性的物质和受主物质。
12.根据权利要求10所述的发光装置,其中所述电荷产生层包括具有电子传输性的物质和施主物质。
13.一种包括根据权利要求1-4中的任一项所述的发光装置的照明装置。
14.一种包括根据权利要求1-4中的任一项所述的发光装置的电子设备。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择





