[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器

说明书

相关申请的交叉引用

本申请要求2011年7月15日提交的韩国专利申请第10-2011-0070544号的优先权，其公开通过全文引用包含于此。

技术领域

示例实施例涉及一种图像传感器，更具体地，涉及一种用于使用密勒效应增加转换增益的互补金属－氧化物－半导体(CMOS)图像传感器。

背景技术

一种包括感测诸如光强度、温度、质量或时间之类的有效物理量并输出电信号的像素阵列的传感器用于许多方面。具体地，一种测量被拍摄对象的图像的图像传感器应用于多个领域。

发明内容

一些实施例提供一种用于增加转换增益的图像传感器。

一些实施例提供一种用于增加转换增益和灵敏度的图像传感器。

在一个实施例中，一种图像传感器包括被配置为将光信号转换为光电荷的第一光电二极管，被配置为存储第一光电二极管的光电荷的感测节点，以及被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号的电路。所述电路连接到至少一个第一导电接触件，并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件之间。

例如，所述电路可以包括被配置为向感测节点传送光电荷的传送晶体管。所述传送晶体管连接到第一导电接触件，并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件之间。

在一个实施例中，所述传送晶体管具有连接到第一导电接触件用于接收栅控信号的栅极。

在一个实施例中，所述电路还包括被配置为重置感测节点的电压电平的重置晶体管，并且所述重置晶体管连接到第二导电接触件。所述输出线可以布置在感测节点和第二导电接触件之间。

在另一实施例中，所述电路可以包括被配置为将光电荷转换为电信号的驱动晶体管。所述电路可以包括被配置为控制电信号向输出线的传送的选择晶体管，并且所述选择晶体管连接到第三导电接触件。所述输出线可以布置在感测节点和第三导电接触件之间。

在一个实施例中，所述输出线包围感测节点。

在另一实施例中，所述输出线位于与感测节点相同的平面中。

在进一步的实施例中，所述输出线包围第三导电接触件。

在另一实施例中，所述图像传感器还包括被配置为将光信号转换为光电荷的第二光电二极管。此处，所述感测节点被配置为存储第二光电二极管的光电荷。在此实施例中，所述电路可以包括被配置为向感测节点传送第一光电二极管的光电荷的第一传送晶体管。第一传送晶体管连接到第一导电接触件。所述电路还可以包括被配置为向感测节点传送第二光电二极管的光电荷的第二传送晶体管。第二传送晶体管连接到第二导电接触件。所述电路可以更进一步包括被配置为重置感测节点的电压电平的重置晶体管。所述重置晶体管连接到第三导电接触件。驱动晶体管还可以被配置为将感测节点处的光电荷转换为电信号，并且选择晶体管可以被配置为控制电信号向输出线的传送。所述选择晶体管连接到第四导电接触件，并且所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件到第四导电接触件的至少一个之间。

在另一实施例中，所述图像传感器包括：第二光电二极管，被配置为将光信号转换为光电荷；第三光电二极管，被配置为将光信号转换为光电荷；第四光电二极管，被配置为将光信号转换为光电荷；以及所述感测节点被配置为存储第一光电二极管到第四光电二极管的光电荷。在此实施例中，所述电路可以包括被配置为向感测节点传送第一光电二极管的光电荷的第一晶体管，被配置为向感测节点传送第二光电二极管的光电荷的第二传送晶体管，被配置为向感测节点传送第三光电二极管的光电荷的第三传送晶体管，被配置为向感测节点传送第四光电二极管的光电荷的第四传送晶体管，被配置为重置感测节点的电压电平的重置晶体管，被配置为将感测节点处的光电荷转换为电信号的驱动晶体管，以及被配置为控制电信号向输出线的传送的选择晶体管。所述第一传送晶体管连接到第一导电接触件，第二传送晶体管连接到第二导电接触件，第三传送晶体管连接到第三导电接触件，第四传送晶体管连接到第四导电接触件，所述重置晶体管连接到第五导电接触件，以及所述选择晶体管连接到第六导电接触件。所述输出线布置在感测节点和第一导电接触件到第六导电接触件的至少一个之间。

在另一实施例中，一种图像传感器包括被配置为将光信号转换为光电荷的光电二极管，被配置为存储光电荷的感测节点，被配置为在输出线上选择性地输出与感测节点处的光电荷对应的电信号的电路，以及被配置为从至少一个导电接触件屏蔽感测节点的输出线。