[发明专利]一种菊芋脱毒快繁的方法

权利要求书

1.一种菊芋脱毒快繁的方法，其特征在于：以菊芋腋芽或茎尖为外植体，经消毒处理后，转入芽诱导培养基进行试管苗培养，待芽长至2-3cm时再将芽转入生根培养基，当根长至3-4cm时将完整的试管苗进行炼苗和移栽田间。

2.根据权利要求1所述的菊芋脱毒快繁的方法，其特征在于：所述芽诱导培养基是以MS为基础培养基，内含30g·L^-1蔗糖，7g·L^-1琼脂，67g·L^-1菊芋块茎，0.1mg·L^-1NAA和0.5mg·L^-16-BA，pH为5.8。

3.根据权利要求1所述的菊芋脱毒快繁的方法，其特征在于：所述生根培养基以1/2MS为基础培养基，内含30mg·L^-1蔗糖，7mg·L^-1琼脂，还含有0.1mg·L^-1NAA或IBA，pH为5.6-5.7。

4.根据权利要求1所述的菊芋脱毒快繁的方法，其特征在于：试管苗的培养条件为，温度25-28℃，光照16h d^-1，光照强度1500-1800Lux。

5.根据权利要求1所述的菊芋脱毒快繁的方法，其特征在于：试管苗芽长至2-3cm时既可直接切下转接到生根培养基进行生根培养，无需壮苗培养，当根长至3-4cm时，既可进行炼苗培养，最后移栽到田间栽培。

6.根据权利要求1所述的菊芋脱毒快繁的方法，其特征在于：炼苗处理具体步骤如下：（1）松开试管瓶盖，2天；（2）加无菌水，2天；（3）半开试管瓶盖，3天；（4）全开试管瓶盖，降低光强至1500Lux，3天；（5）移至沙培，加强光照至1800Lux，5天；（6）转至有机基质，移至温室，当苗长至20-30cm时既可移栽到田间。