[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法有效
申请号: | 201210245228.8 | 申请日: | 2012-07-16 |
公开(公告)号: | CN102769069A | 公开(公告)日: | 2012-11-07 |
发明(设计)人: | 殷涵玉;王栩生;章灵军 | 申请(专利权)人: | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C30B31/08 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陶海锋;陆金星 |
地址: | 215129 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶体 太阳能电池 扩散 方法 | ||
1.一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1) 将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至800~1100℃,通入氧气进行氧化,氧化时间为1~30min;
(2) 保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃,通硼源、氧气和氮气进行硼扩散;
(3) 停止通源,保持温度或降温至800~900℃,在氮气气氛下保温5~50 min;
(4) 降温,出舟,完成扩散过程。
2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(1)中氧气的流量为5~20L/min。
3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(2)中硼源为BBr3,其流量为50~2000mL/min;氧气流量为50~2000mL/min;氮气流量为5~20L/min;硼扩散的时间为10~85min。
4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(3)中的氮气流量5~10L/min。
5.一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:
(1) 将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至750~900℃后通入氧气进行氧化,然后在1~30min内继续升温至900~1100℃;
(2) 保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃,通硼源、氧气和氮气进行硼扩散;
(3) 停止通源,保持温度或降温至800~900℃,在氮气气氛下保温5~50 min;
(4) 降温,出舟,完成扩散过程。
6.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(1)中氧气的流量为5~20L/min。
7.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(2)中硼源为BBr3,其流量为50~2000mL/min;氧气流量为50~2000mL/min;氮气流量为5~20L/min;硼扩散的时间为10~85min。
8.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(3)中的氮气流量5~10L/min。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的