[发明专利]一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法有效

专利信息
申请号: 201210245228.8 申请日: 2012-07-16
公开(公告)号: CN102769069A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 殷涵玉;王栩生;章灵军 申请(专利权)人: 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯(中国)投资有限公司
主分类号: H01L31/18 分类号: H01L31/18;C30B31/08
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 陶海锋;陆金星
地址: 215129 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 晶体 太阳能电池 扩散 方法
【权利要求书】:

1.一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1) 将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至800~1100℃,通入氧气进行氧化,氧化时间为1~30min;

(2) 保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃,通硼源、氧气和氮气进行硼扩散;

(3) 停止通源,保持温度或降温至800~900℃,在氮气气氛下保温5~50 min;

(4) 降温,出舟,完成扩散过程。

2.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(1)中氧气的流量为5~20L/min。

3.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(2)中硼源为BBr3,其流量为50~2000mL/min;氧气流量为50~2000mL/min;氮气流量为5~20L/min;硼扩散的时间为10~85min。

4.根据权利要求1所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(3)中的氮气流量5~10L/min。

5.一种晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1) 将制绒清洗后的硅片放入扩散炉管内,升温至750~900℃后通入氧气进行氧化,然后在1~30min内继续升温至900~1100℃;

(2) 保持步骤(1)中的温度或升温至900~1100℃,通硼源、氧气和氮气进行硼扩散;

(3) 停止通源,保持温度或降温至800~900℃,在氮气气氛下保温5~50 min;

(4) 降温,出舟,完成扩散过程。

6.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(1)中氧气的流量为5~20L/min。

7.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(2)中硼源为BBr3,其流量为50~2000mL/min;氧气流量为50~2000mL/min;氮气流量为5~20L/min;硼扩散的时间为10~85min。

8.根据权利要求5所述的晶体硅太阳能电池的硼扩散方法,其特征在于:所述步骤(3)中的氮气流量5~10L/min。

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