[发明专利]一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法

权利要求书

1.一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

一、正常进行半导体器件的部分正面工艺；

二、使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料；

三、在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜；

四、采用干法刻蚀方法处理半导体材料表面及耐刻蚀金属膜；

五、在半导体材料表面进行钝化介质生长；

六、接触区引线工艺干法过刻蚀钝化介质及对准标记区域；

七、使用酸性溶液处理经过过刻蚀工艺的半导体材料及耐刻蚀金属膜；

八、采用湿法及干法刻蚀方法进行去胶；

九、采用保护完好的对准标记继续进行光刻工艺。

2.根据权利要求1所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的使用酸性溶液清洗经过部分工艺的半导体材料工艺步骤二：酸性溶液为盐酸与纯水的重量配比1：20～1：5的溶液。

3.根据权利要求1所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的半导体材料为碳化硅晶片，或碳化硅衬底上生长了一层或者多层碳化硅薄膜的外延片，或碳化硅衬底上生长了氮化镓薄膜、或AlGaN薄膜、或氮化铝薄膜的一层或者多层外延片，或蓝宝石衬底上生长了氮化镓薄膜、或AlGaN薄膜、或氮化铝薄膜的一层或者多层外延片。

4.根据权利要求1所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的在半导体材料上的对准标记区域形成一层耐刻蚀金属膜工艺步骤三：1）将第一层分辨率低的光敏薄膜附着于整个半导体材料表面，只在需要位置的对准标记区域留出的空白窗口不附着第一层分辨率低的光敏薄膜；光敏薄膜5的厚度为0.9um~6μm；对准标记位于窗口区域中央，窗口的面积为1~10mm²；2）在对准标记区域的空白窗口以及附着于整个半导体材料1表面的光敏薄膜上淀积一层耐刻蚀金属；耐刻蚀金属为镍或者钛/铂，厚度为50nm～300nm或者30nm～100nm /50nm～200nm；通过清除光敏薄膜去除窗口区域以外的耐刻蚀金属，在窗口区域内留下被耐刻蚀金属覆盖的对准标记凹槽；然后采用剥离方法去除光敏薄膜。

5.根据权利要求3所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的对准标记区域窗口的面积为1～10mm²。

6.根据权利要求3所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的耐刻蚀金属材料为镍单层金属或钛铂双层金属，采用电子束蒸发的方式形成。

7.根据权利要求1所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的采用干法刻蚀方法处理半导体材料表面及耐刻蚀金属膜工艺步骤四：干法刻蚀方法为等离子体刻蚀打胶。

8.根据权利要求1所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的在半导体材料表面进行钝化介质生长工艺步骤五：将采用等离子体增强化学气相淀积方法或感应耦合等离子体增强化学气相淀积方法生长的钝化介质薄膜附着于整个半导体材料表面，被耐刻蚀金属覆盖的对准标记凹槽也被介质覆盖填平，钝化介质为二氧化硅或氮化硅，厚度在500nm～3um。

9.根据权利要求1所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述的接触区引线工艺干法过刻蚀钝化介质及对准标记区域工艺步骤六：1）将分辨率高的光敏薄膜附着于整个半导体材料表面上的钝化介质薄膜表面，光敏薄膜厚度在0.9um~6um；在对准标记区域，整个半导体材料表面上被耐刻蚀金属覆盖，然后再被钝化介质薄膜覆盖；2）对分辨率高的光敏薄膜进行接触区引线区域及对准标记区域4的光刻、曝光、显影流程，最终得到了待刻蚀的图形窗口；3）进行接触区引线工艺干法过刻蚀钝化介质薄膜，干法过刻蚀采用的是反应离子刻蚀或者感应耦合等离子体方法，半导体器件工艺的接触区刻蚀的同时，对准标记区域也进行过刻蚀介质，刻蚀完成后，对准标记凹槽图形保护完好。

10.根据权利要求1所述的一种半导体器件中接触区引线工艺保护对准标记的方法，其特征是所述采用湿法及干法刻蚀方法进行去胶工艺步骤八：1）去光敏薄膜分辨率高的光敏薄膜；2）用湿法去胶采用丙酮80W超声5分钟2次，更换溶液，乙醇80W超声5分钟1次，纯水过浴3次清洗后，氮气加热3千转高速转动甩干；干法刻蚀方法为等离子体刻蚀打胶去光敏薄膜分辨率高的光敏薄膜，对准标记凹槽图形保护完好。