[发明专利]半导体打线接合结构及方法有效
| 申请号： | 201210243588.4 | 申请日： | 2012-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN102723319A | 公开（公告）日： | 2012-10-10 |
| 发明（设计）人： | 洪志成;吴孟霖;叶科廷;陈胜鸿 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/607 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陆勍 |
| 地址： | 中国台湾高雄市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 接合 结构 方法 | ||
1.一种半导体打线接合结构，包括：
一半导体元件，具有一焊垫，该焊垫具有一焊垫表面、一中心凹部及一环状突部，该中心凹部凹陷于该焊垫表面，该环状突部突出于该焊垫表面，且连续地环绕该中心凹部；及
一焊线，具有一连接部，位于该焊线的一末端，该连接部接合于该中心凹部，该环状突部环绕该连接部，且大致上为一等宽的环形。
2.如权利要求1的半导体打线接合结构，其特征在于，该焊线的硬度大于该焊垫的硬度。
3.如权利要求1的半导体打线接合结构，其特征在于，该连接部为圆盘状，且与该焊线形成一大致为T字形外观。
4.如权利要求1的半导体打线接合结构，其特征在于，该环状突部的外缘大致上为圆形。
5.如权利要求1的半导体打线接合结构，其特征在于，该焊垫的厚度大于1.5μm，且该环状突部的宽度小于该焊垫厚度的2.5倍。
6.一种半导体打线接合方法，包括以下步骤：
(a)形成一球状结构于一焊线的一末端；
(b)移动该焊线，使得该球状结构接触一半导体元件的一焊垫；
(c)施加一第一下压力及一第一振动能量于该焊线，使得该焊线沿着一第一方向振动，而推挤部分该焊垫；
(d)停止该第一振动能量；及
(e)改变该第一下压力成一第二下压力，且同时施加一第二振动能量于该焊线，使得该焊线沿着一第二方向振动，而推挤部分该焊垫，其中该第二方向垂直该第一方向。
7.如权利要求6的方法，其特征在于，该步骤(a)加热该焊线的该末端，使其融化而形成该球状结构。
8.如权利要求6的方法，其特征在于，该步骤(c)形成一第一突部，该步骤(e)形成一第二突部，该第一突部的宽度与该第二突部的宽度大致相等，且该第一突部与该第二突部连续地形成一环状突部。
9.如权利要求6的方法，其特征在于，该第一下压力大于该第二下压力。
10.如权利要求6的方法，其特征在于，该步骤(c)更包括一施加一第三振动能量于该焊线的步骤，该第三振动能量使得该焊线沿着该第二方向振动，而推挤部分该焊垫。
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