[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210243455.7 | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN103545447A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;梁禄生 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子器件相关领域,尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED)。在该双层结构的器件中,10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51 lm/W、寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
有机电致发光器件是载流子注入型发光器件,在阳极和阴极加上工作电压后,空穴从阳极,电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中,两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光,然后光从电极一侧发出。
目前使用的OLED器件中,大部分是单面出光的形式,通常设置为顶发射或者底发射,而实现双面出光则需要有两个透明的电极,并且还要兼顾载流子的注入问题。
发明内容
本发明实施例所要解决的技术问题在于,提供一种有机电致发光器件及其制备方法,通过在倒置结构的空穴传输层与阳极之间设置双导电极层,双导电极兼具高导电能力和良好透光性,实现了发光器件的双面出光,提高了出光效率和照明范围,同时阴极可以受到基底的保护,有效提高了器件稳定性。
本发明实施例提供了一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件具有倒置结构,包括依次层叠的玻璃基底、阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层、双导电极层和阳极,所述双导电极层的材质为金属和介质混合形成的混合材料,在双导电极层的材质中,所述介质与所述金属的质量比为1~4:10。
优选地,玻璃基底为市售普通玻璃。
优选地,阴极为银(Ag)、铝(Al)、钐(Sm)、镱(Yb)、镁(Mg)或其任意组合形成的合金;更优选地,阴极为银(Ag)、铝(Al)或镁(Mg)与钐(Sm)或镱(Yb)形成的合金。
优选地,阴极的厚度为18~30nm;更优选地,阴极的厚度为20nm。
常用阴极材料银(Ag)、铝(Al)或镁(Mg)等金属具有较强导电能力,并且其价格便宜,来源广泛,此外当其与钐(Sm)或镱(Yb)混合形成的合金作为阴极时,由于金属钐(Sm)或镱(Yb)具有较低的功函以及较高的薄层透过率,因此能有效提高阴极的电子注入能力和透光率。
优选地,电子注入层的材料为碳酸铯(Cs2CO3)、氟化铯(CsF)或氟化锂(LiF);更优选地,电子注入层的材料为氟化铯(CsF)。
优选地,电子注入层的厚度为1~20nm;更优选地,电子注入层的厚度为10nm。
优选地,电子传输层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-三唑衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI);更优选地,电子传输层的材料为N-芳基苯并咪唑(TPBI)。
优选地,电子传输层的厚度为30~80nm;更优选地,电子传输层的厚度为50nm。
优选地,发光层的材料为8-羟基喹啉铝(Alq3)掺杂4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)形成的混合材料(Alq3:DCJTB)。
优选地,4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)的掺杂质量分数为5~20%;更优选地,掺杂质量分数为10%。
优选地,发光层的厚度为5~30nm;更优选地,发光层的厚度为20nm。
优选地,空穴传输层的空穴传输材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB);更优选地,空穴传输层的空穴传输材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)。
优选地,空穴传输层的厚度为20~60nm;更优选地,空穴传输层的厚度为50nm。
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