[发明专利]一种有机电致发光器件及其制备方法无效
申请号: | 201210243139.X | 申请日: | 2012-07-13 |
公开(公告)号: | CN103545445A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;冯小明;梁禄生 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/54 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种有机电致发光器件,其特征在于,包括依次层叠的玻璃基底、阳极导电膜、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极,所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料,所述掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物,在所述空穴传输层的材质中,所述掺杂剂的质量分数为2~20%。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述锑的卤化物为三氟化锑、三氯化锑、三溴化锑或三碘化锑。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述锑的氧化物为三氧化二锑。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输材料为酞菁锌、酞菁铜、1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺,所述空穴传输层的厚度为30~100nm。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层的材质为电子传输材料掺杂碱金属化合物形成的混合材料,所述碱金属化合物为碳酸锂、叠氮化锂、叠氮化铯、碳酸铯或氟化铯,在所述电子传输层的材质中,所述碱金属化合物的质量分数为5~20%。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、1,2,4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝;所述电子传输层的厚度为20~100nm。
7.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子阻挡层的材料为酞菁锌、酞菁铜、1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4″-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺;所述电子阻挡层的厚度为5~20nm。
8.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料为8-羟基喹啉铝掺杂4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃形成的混合材料,4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃的掺杂质量分数为5~20%;所述发光层的厚度为10~30nm。
9.如权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴阻挡层的材料为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲、1,2,4-三唑衍生物、N-芳基苯并咪唑或双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝;所述空穴阻挡层的厚度为5~20nm。
10.如权利要求1所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
提供清洁的玻璃基底,在经处理过的玻璃基底上采用电子束蒸镀或磁控溅射的方法制备阳极导电膜;
在所述阳极导电膜上蒸镀制备空穴传输层,所述空穴传输层的材质为空穴传输材料与掺杂剂形成的混合材料,所述掺杂剂为锑的卤化物或锑的氧化物,在所述空穴传输层的材质中,所述掺杂剂的质量分数为2~20%;
所述蒸镀过程中的真空度为1×10-4Pa~5×10-4Pa,蒸发速度为0.01nm~1nm/s;
在所述空穴传输层上依次蒸镀制备电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层和阴极,得到有机电致发光器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择