[发明专利]用于软性显示装置的基板及包含该基板的显示装置无效

专利信息
申请号: 201210242379.8 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN102955317A 公开(公告)日: 2013-03-06
发明(设计)人: 陈世忠 申请(专利权)人: 陈世忠
主分类号: G02F1/167 分类号: G02F1/167;G09F9/30
代理公司: 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 代理人: 张艳赞
地址: 中国台湾桃园县龟*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 用于 软性 显示装置 包含
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种微制造,尤指一种用于软性显示装置的基板及包含该基板的显示装置。

背景技术

随着各种电子产品变得更加紧密、小型化与轻量化,消费者往往面临例如在轻的、紧密的移动电话、笔记型计算机或触控式面板装置(其一般具有小屏幕)与相对较重且较庞大者(然而其具有较大的屏幕)之间进行选择的进退两难。使用连接到小型尺寸的装置的外部显示装置往往是一些消费者必须作的妥协。然而,显示装置一般都形成于刚性基板(如玻璃或晶圆)上,该等玻璃或晶圆既沉重且不便于携带。一些更轻且更薄的显示装置设于聚合物上,并具有小程度的可挠性。一般来说,这种可挠式装置可以卷起不到一圈。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种用于软性显示装置的基板及包含该基板的显示装置。

为达到上述目的,本发明提供一种用于软性显示装置的基板,该基板包含:

一具一厚度的可挠曲式薄膜,该可挠曲式薄膜具有一第一表面与一第二表面,该第二表面与该第一表面间隔该薄膜的厚度;以及

一在该可挠曲式薄膜中的微结构数组,每一微结构包括一从该第一表面穿入该可挠曲式薄膜形成的腔室,其中该腔室在接近该第二表面之处具有一凹部。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该腔室具有一接近该第一表面的侧壁部分,该侧壁部分具有一距该第一表面5N微米的深度,N为1至15的自然数,以及其中该侧壁部分包括一圆形剖面、一椭圆形剖面及一多边形剖面中之一。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该侧壁部分的该剖面为一90 μm乘70 μm的矩形,以及每个矩形之间的距离为15 μm。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该凹部具有一圆形剖面、一椭圆形剖面及一多边形剖面中之一,且该剖面往该第二表面逐渐变小。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中每一微结构包括受静电力吸引的粉末,且该粉末在该微结构的该腔室中于不同的电压的下展现不同的颜色。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该粉末包括液晶粉末。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该第一表面粘附于一粘性膜,且该粘性膜上具有一导电图案。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该粘性膜包括一聚合物核心,该聚合物核心包含聚对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯及光学聚萘二甲酸乙二酯中之一。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该可挠曲式薄膜包含一聚合物,该聚合物使该薄膜具有90 %或更大的透明度。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该聚合物为对苯二甲酸乙二酯、聚碳酸酯及光学聚萘二甲酸乙二酯中之一。

作为上述一种用于软性显示装置的基板的优选方案,其中该可挠曲式薄膜的密度介于0.86至0.98 g/cm3之间,该可挠曲式薄膜的抗张强度介于234与246 MPa之间,该可挠曲式薄膜的张力伸长介于126与173 %之间,该可挠曲式薄膜的抗张模数介于4.55至5.04 GPa之间,该可挠曲式薄膜的撕裂强度介于697与899 mN之间,以及该可挠曲式薄膜的厚度介于97.5与102.5微米之间。

为达到上述目的,本发明提供一种显示装置,该显示装置包含:

一基板,其中该基板包含:

一具一厚度的可挠曲式薄膜,该可挠曲式薄膜具有一第一表面与一第二表面,该第二表面与该第一表面间隔该薄膜的该厚度;以及

一在该可挠曲式薄膜中的微结构数组,每一微结构包括一从该第一表面穿入该可挠曲式薄膜形成的腔室,至少一层位于每一微结构中的粉末;其中该粉末受静电力吸引,且在不同的电压之下时展现不同的颜色。

作为上述一种显示装置的优选方案,其中该腔室具有一接近该第二表面的凹部。

作为上述一种显示装置的优选方案,其中该腔室具有一接近该第一表面的侧壁部分,且该侧壁部分具有一距该第一表面5N μm的深度,N为1至15的自然数;以及

该侧壁部分包括一圆形剖面、一椭圆形剖面及一多边形剖面中之一。

作为上述一种显示装置的优选方案,其中该粉末包括液晶粉末。

作为上述一种显示装置的优选方案,其进一步包含一层粘附于该第二表面的硅粉末。

作为上述一种显示装置的优选方案,其进一步包含于该第二表面上的多数个突出以及介于该多数个突出之间的结晶硅。

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