[发明专利]氮化物半导体发光器件

权利要求书

1.一种氮化物发光器件，其包括：

N型氮化物半导体层；

P型氮化物半导体层；以及

有源层，其布置在所述N型氮化物半导体层和所述P型氮化物半导体层之间，

其中，所述P型氮化物半导体层包括：

异质结结构，其包括：GaN层和掺有N型掺杂剂的N型Al_xIn_yGaN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y=1；以及二维电子气层，其布置在所述GaN层和所述N型Al_xIn_yGaN层之间的界面中。

2.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述P型氮化物半导体层包括形成在所述有源层上的P型包覆层和形成在所述P型包覆层上的P型接触层。

3.权利要求2的氮化物发光器件，其中，在所述P型接触层内部形成所述异质结结构。

4.权利要求2的氮化物发光器件，其中，在所述P型包覆层内部形成所述异质结结构。

5.权利要求3的氮化物发光器件，其中，所述P型接触层包括第一P型接触层和第二P型接触层，所述第一P型接触层布置在所述异质结结构的上侧，所述第二P型接触层布置在所述异质结结构的下侧，并且所述第一P型接触层和所述第二P型接触层具有相同的成分。

6.权利要求2的氮化物发光器件，其中，所述P型接触层由P⁺-GaN形成。

7.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述P型氮化物半导体层包括布置在所述有源层上的P型包覆层和布置在所述P型包覆层上的P型接触层，

其中，所述异质结结构处在所述P型包覆层中。

8.权利要求1的氮化物发光器件，其中，利用所述异质结结构在所述有源层处形成所述GaN层。

9.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述GaN层是未掺杂层。

10.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述GaN层具有5nm到50nm的厚度。

11.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述GaN层具有7nm到15nm的厚度。

12.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN层的N型掺杂剂是Si。

13.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN层由包含从15%到45%的Al含量的AlGaN形成。

14.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN层具有10nm到50nm的厚度。

15.权利要求1的氮化物发光器件，其中，所述N型Al_xIn_yGaN层具有15nm到30nm的厚度。

16.权利要求1的氮化物发光器件，还包括：

N型电极，其布置在所述N型氮化物半导体层上，以及

P型电极，其布置在所述P型氮化物半导体层上并且由透明导电材料形成，

其中，光通过所述P型电极发出。

17.权利要求1的氮化物发光器件，还包括：

N型电极，其布置在所述N型氮化物半导体层上，以及

P型电极，其布置在所述P型氮化物半导体层上，

其中，光通过所述N型氮化物半导体层发出。

18.权利要求1的氮化物发光器件，还包括：

N型电极，其布置在所述N型氮化物半导体层上，以及

P型电极，其布置在所述P型氮化物半导体层上。

19.一种氮化物发光器件，其包括：

N型氮化物半导体层；

P型氮化物半导体层；以及

有源层，其布置在所述N型氮化物半导体层和所述P型氮化物半导体层之间，

其中，所述P型氮化物半导体层包括：

第一P型半导体层，其布置在所述有源层上；

异质结结构，其包括：GaN层和掺有N型掺杂剂的N型Al_xIn_yGaN层，其中，0≤x≤1，0≤y≤1，并且x+y=1；以及二维电子气层，其布置在所述GaN层和所述N型Al_xIn_yGaN层之间的界面中；以及

第二P型半导体层，其布置在所述异质结结构上。