[发明专利]固体摄像器件和半导体装置及它们的制造方法和电子设备有效
申请号: | 201210241867.7 | 申请日: | 2012-07-12 |
公开(公告)号: | CN103022062A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 三桥生枝;秋山健太郎;菊地晃司 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369;H04N5/225 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 陈桂香;武玉琴 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 摄像 器件 半导体 装置 它们 制造 方法 电子设备 | ||
1.一种固体摄像器件,所述固体摄像器件包括:
传感器基板,所述传感器基板具有像素区域,在所述像素区域上排列有光电转换器;
驱动电路,所述驱动电路设置在所述传感器基板的与所述光电转换器的受光面相反的正面侧上;
绝缘层,所述绝缘层设置在所述受光面上并且具有阶梯结构,在所述阶梯结构中,所述像素区域的膜厚度比设置在所述像素区域外侧的周边区域的膜厚度薄;
配线,所述配线在所述周边区域中设置成位于所述受光面侧;以及
片上透镜,所述片上透镜设置在所述绝缘层上的与所述光电转换器对应的位置处。
2.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述配线设置成在所述绝缘层中埋入的埋入配线。
3.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述配线设置成在所述传感器基板的受光面侧埋入的埋入配线。
4.如权利要求1所述的固体摄像器件,所述固体摄像器件还包括:
遮光膜,所述遮光膜在所述像素区域中位于所述绝缘层与所述片上透镜之间,并具有与所述光电转换器对应的光接收开口。
5.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,
所述绝缘层具有由不同材料构成的层叠结构;并且
所述像素区域中的以下膜被去除,该膜包括所述绝缘层的所述层叠结构的上层部分。
6.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述绝缘层包括:
绝缘图案,所述绝缘图案在所述周边区域中形成为图案;以及
绝缘膜,所述绝缘膜在覆盖所述绝缘图案的状态下设置在所述传感器基板上,
其中,所述绝缘膜设置在所述像素区域中。
7.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,具有所述驱动电路的电路基板结合至所述传感器基板的所述正面侧。
8.如权利要求1所述的固体摄像器件,其中,所述传感器基板中设置有贯通孔,所述贯通孔连接位于所述受光面侧的所述配线和布置在所述正面侧上的所述驱动电路。
9.如权利要求8所述的固体摄像器件,其中,所述配线与所述贯通孔一体地形成。
10.如权利要求4所述的固体摄像器件,其中,所述遮光膜通过形成在所述绝缘层的薄膜部分上的开口接地至所述传感器基板。
11.一种固体摄像器件的制造方法,所述制造方法包括以下步骤:
在设置在传感器基板上的像素区域中排列光电转换器;
在所述传感器基板的与所述光电转换器的受光面相反的正面侧上形成驱动电路;
在所述受光面上将绝缘层形成在所述传感器基板上;
在设置在所述像素区域外部的周边区域中,将配线形成在所述受光面侧;
在形成所述绝缘层和所述配线之后,通过相对所述周边区域选择性地减薄所述绝缘层中的与所述像素区域对应的部分,在所述绝缘层中形成阶梯结构;并且
在形成有所述阶梯结构的所述绝缘层上的与所述光电转换器对应的位置处形成片上透镜。
12.如权利要求11所述的固体摄像器件的制造方法,其中,在形成 所述配线时,将所述配线形成为在所述绝缘层中埋入的埋入配线。
13.如权利要求11所述的固体摄像器件的制造方法,其中,
在形成所述绝缘层时,将所述绝缘层形成为由不同材料构成的层叠结构;并且
在所述绝缘层中形成所述阶梯结构时,相对设置在所述层叠结构的下层部分中的膜,选择性地去除以下膜,该膜构成所述绝缘层中的所述层叠结构的上层部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的