[发明专利]填充间隙的填料、其制备方法及制造半导体电容器的方法

权利要求书

1.一种用于填充间隙的填料，包含由下列化学式1表示的化合物：

[化学式1]

Si_aN_bO_cH_d

其中，在化学式1中，

1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

2.根据权利要求1所述的用于填充间隙的填料，其中，由上述化学式1表示的所述化合物具有1,000至30,000的重均分子量。

3.根据权利要求1所述的用于填充间隙的填料，其中，由上述化学式1表示的所述化合物以0.7至0.95的摩尔比(N/Si)包含氮原子和硅原子。

4.根据权利要求1所述的用于填充间隙的填料，其中，基于氢原子的总数，由上述化学式1表示的所述化合物以0.35至0.85的比率在分子中包含全部-SiH_e的-SiH₃，其中e是1至3的整数。

5.一种制备用于填充间隙的填料的方法，所述方法包括使选自由氢化的聚硅氮烷、氢化的聚硅氧氮烷和它们的组合组成的组中的化合物与三甲硅烷基胺((SiH₃)₃N)发生反应。

6.一种制造半导体电容器的方法，包括：

在半导体基板上形成具有间隙的模型；

在所述半导体基板和所述模型上形成导电层；

在所述间隙中和所述导电层上施加填料以形成填料层；

对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层；

对填充在所述间隙中的所述填料层的一部分进行显影以形成填料图案；

除去所述导电层的一部分以形成多个第一电极；

除去所述模型和所述填料图案；

在所述第一电极上形成介电层；以及

在所述介电层上形成第二电极，

其中所述填料包含由下列化学式1表示的化合物：

[化学式1]

Si_aN_bO_cH_d

其中，在化学式1中，

1.96＜a＜2.68，1.78＜b＜3.21，0≤c＜0.19，且4＜d＜10。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，由上述化学式1表示的所述化合物具有1,000至30,000的重均分子量。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，由上述化学式1表示的所述化合物以0.7至0.95的摩尔比(N/Si)包含氮原子和硅原子。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，基于氢原子的总数，由上述化学式1表示的所述化合物以0.35至0.85的比率在分子中包含全部-SiH_e的-SiH₃，其中e是1至3的整数。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，对所述填料层进行热处理以形成二氧化硅层包括在50℃至200℃的温度下对所述填料层进行干燥，并且在200℃至1,000℃的温度下在包含大于或等于0.1kPa的蒸气的氧气氛下对所述填料层进行热处理。