[发明专利]基板固定型二氧化钛纳米线及其制造方法,及利用基板固定型二氧化钛纳米线的水处理方法有效
申请号: | 201210240806.9 | 申请日: | 2012-07-11 |
公开(公告)号: | CN102949985A | 公开(公告)日: | 2013-03-06 |
发明(设计)人: | 洪锡垣;崔炅镇;李相协;李在祥;崔时爀;权初荣;金熙燦 | 申请(专利权)人: | 韩国科学技术研究院 |
主分类号: | B01J21/06 | 分类号: | B01J21/06;B01J21/08;B01J35/02;C01G23/053;C02F1/30;C02F1/32 |
代理公司: | 北京青松知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11384 | 代理人: | 郑青松 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固定 氧化 纳米 及其 制造 方法 利用 水处理 | ||
1.一种基板固定型二氧化钛纳米线的制造方法,其特征在于,
由二氧化钛纳米线固定在基板的步骤及二氧化钛纳米线晶型比例的调节步骤构成,
上述二氧化钛纳米线固定在基板的步骤,包括以下三个过程:含有二氧化钛前驱体混合溶液和基板的准备过程、上述混合溶液经电喷射将二氧化钛纳米线镀在基板上的过程,和通过热压处理将二氧化钛纳米线固定在基板上的过程,
上述二氧化钛纳米线的晶型比例的调节步骤是,上述固定二氧化钛纳米线的基板经过后热处理来调节二氧化钛纳米线的锐钛矿型结晶和金红石型结晶的比例。
2.根据权利要求1所述的基板固定型二氧化钛纳米线的制造方法,其特征在于,上述二氧化钛纳米线的晶型比例的调节步骤中,上述锐钛矿型和金红石型的比例调节为8:2至7:3。
3.根据权利要求1所述的基板固定型二氧化钛纳米线的制造方法,其特征在于,上述二氧化钛纳米线的晶型比例的调节步骤中,上述后热处理温度为500~600℃。
4.根据权利要求1所述的基板固定型二氧化钛纳米线的制造方法,其特征在于,上述混合溶液经电喷射将二氧化钛纳米线镀在基板的过程,由电喷射设备来完成,
上述电喷射设备由供应含有二氧化钛前驱体的混合溶液的前驱体混合溶液供给部、电喷射喷头、收集器及高电压发生器构成,上述收集器内设有形成钛薄膜的基板,
上述前驱体混合溶液供给部供应前驱体混合溶液到上述电喷射喷头上,同时由上述高电压发生器将高电压施加到上述电喷射喷头上,则根据电喷射原理电喷射喷头内的前驱体混合溶液转变为二氧化钛纳米线并喷射到上述收集器内部空间,收集器内部的二氧化钛纳米线蒸镀在钛薄膜上。
5.根据权利要求4所述的基板固定型二氧化钛纳米线的制造方法,其特征在于,上述基板上的钛薄膜呈接地状态。
6.根据权利要求1所述的基板固定型二氧化钛纳米线的制造方法,其特征在于,上述含有二氧化钛前驱体的混合溶液包括氧化钛前驱体、乙醇及调节粘度的高分子粘结剂。
7.根据权利要求1所述的基板固定型二氧化钛纳米线的制造方法,其特征在于,上述基板是硅基板或石英基板。
8.一种基板固定型二氧化钛纳米线,其特征在于,包含基板、上述基板上形成的钛薄膜、及上述钛薄膜上形成的二氧化钛纳米线,上述二氧化钛纳米线晶型的锐钛矿型和金红石型比例为8:2至7:3。
9.根据权利要求8所述的基板固定型二氧化钛纳米线,其特征在于,上述钛薄膜在电喷射时可利用为导电接地板。
10.根据权利要求8所述的基板固定型二氧化钛纳米线,其特征在于,上述基板是硅基板或石英基板。
11.一种水处理方法,是利用基板固定型二氧化钛纳米线的水处理方法,其特征在于,根据权利要求8所述的基板固定型二氧化钛纳米线设置在原水通过的水处理管道或去除原水中杂质的反应槽内,通过上述二氧化钛纳米线的光催化活性分解原水内含有的有机污染物质。
12.根据权利要求11所述的水处理方法,其特征在于,上述水处理管道或反应槽内还包括紫外线灯。
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