[发明专利]一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法有效
| 申请号: | 201210240521.5 | 申请日: | 2012-07-12 |
| 公开(公告)号: | CN102745678A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
| 发明(设计)人: | 董策舟;王宏涛;李倩倩;冯琼;周武;黄洋 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
| 主分类号: | C01B31/04 | 分类号: | C01B31/04 |
| 代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人: | 杜军 |
| 地址: | 310027 浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 利用 等离子 溅射 制作 石墨 方法 | ||
1. 一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于该方法包括以下步骤:
步骤1:将反应基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗30分钟;
步骤2:利用高纯气体将反应基底吹干并干燥静置5~10分钟;
步骤3:将反应基底放入化学气相沉积装置,通入还原性气体,控制反应炉30分钟内升高至800~1100℃;
步骤4:保持化学气相沉积装置高温运行40~80分钟,并向化学气相沉积装置中通入碳源气体;
步骤5:控制化学气相沉积装置温度在5分钟内降至常温,取出生长完石墨烯的反应基底;
步骤6:将反应基底放入等离子体溅射装置的反应腔体中,利用真空泵将反应腔体的真空环境控制在5mTorr以下;
步骤7:向反应腔体中通入氮源气体,控制操作电压使氮源气体电离出等离子态的氮原子,整个等离子体放电过程持续5~25分钟;
步骤8:将完成石墨烯掺氮的反应基底从等离子体溅射装置中取出,并放置在腐蚀溶液表面使反应基底完全腐蚀;
步骤9:将掺氮的石墨烯转移至去离子水表面,静置清洗后得到干净的掺氮石墨烯。
2.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤1所述的反应基底为镍箔或者铜箔。
3.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤2所述的高纯气体为浓度99.999%以上的氮气或者氩气。
4.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤3所述的还原气体为氢气。
5.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤4所述的碳源气体为甲烷、乙炔或者丙烯。
6.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤7所述的氮源气体为氨气或者氮气。
7.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤8所述的腐蚀溶液为FeCl3或者Fe(NO3)3溶液。
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