[发明专利]一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法有效

专利信息
申请号: 201210240521.5 申请日: 2012-07-12
公开(公告)号: CN102745678A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 董策舟;王宏涛;李倩倩;冯琼;周武;黄洋 申请(专利权)人: 浙江大学
主分类号: C01B31/04 分类号: C01B31/04
代理公司: 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人: 杜军
地址: 310027 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 等离子 溅射 制作 石墨 方法
【权利要求书】:

1. 一种利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于该方法包括以下步骤: 

步骤1:将反应基底依次在去离子水、丙酮和乙醇中分别超声清洗30分钟;

步骤2:利用高纯气体将反应基底吹干并干燥静置5~10分钟;

步骤3:将反应基底放入化学气相沉积装置,通入还原性气体,控制反应炉30分钟内升高至800~1100℃;

步骤4:保持化学气相沉积装置高温运行40~80分钟,并向化学气相沉积装置中通入碳源气体;

步骤5:控制化学气相沉积装置温度在5分钟内降至常温,取出生长完石墨烯的反应基底;

步骤6:将反应基底放入等离子体溅射装置的反应腔体中,利用真空泵将反应腔体的真空环境控制在5mTorr以下;

步骤7:向反应腔体中通入氮源气体,控制操作电压使氮源气体电离出等离子态的氮原子,整个等离子体放电过程持续5~25分钟;

步骤8:将完成石墨烯掺氮的反应基底从等离子体溅射装置中取出,并放置在腐蚀溶液表面使反应基底完全腐蚀;

步骤9:将掺氮的石墨烯转移至去离子水表面,静置清洗后得到干净的掺氮石墨烯。

2.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤1所述的反应基底为镍箔或者铜箔。

3.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤2所述的高纯气体为浓度99.999%以上的氮气或者氩气。

4.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤3所述的还原气体为氢气。

5.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤4所述的碳源气体为甲烷、乙炔或者丙烯。

6.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤7所述的氮源气体为氨气或者氮气。

7.根据权利要求1所述的利用等离子溅射制作掺氮石墨烯的方法,其特征在于:步骤8所述的腐蚀溶液为FeCl3或者Fe(NO3)3溶液。

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