[发明专利]具有改进的暗电流性能的图像传感器

权利要求书

1.一种半导体图像传感器器件，包括：

具有第一侧和与所述第一侧相对的第二侧的半导体衬底，所述衬底包括多个接近所述第一侧的辐射感测区域；

设置在所述衬底的所述第二侧上的第一压缩层；

设置在部分所述第一压缩层上的金属器件；以及

设置在所述金属器件上的第二压缩层。

2.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中所述金属器件是拉伸器件。

3.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中所述金属器件设置在所述衬底的黑电平校正区域上方，所述黑电平校正区域包括基准像素。

4.根据权利要求1所述的图像传感器器件，其中所述辐射感测区域可操作地感测从所述第二侧向所述衬底投射的辐射。

5.一种半导体图像传感器器件，包括：

具有前侧和背侧的半导体衬底，所述衬底包括阵列区域和黑电平校正区域，其中所述阵列区域包括接近所述前侧的多个辐射感测像素，所述黑电平校正区域包括接近所述前侧的一个或者多个基准像素；

形成在所述衬底的所述背侧上的第一压缩应力层，所述第一压缩应力层包括氮化硅；

形成在所述压缩应力层上的金属防护罩，其中所述金属防护罩形成在所述黑电平校正区域的至少一部分上方；以及

形成在所述金属防护罩和所述第一压缩应力层上的第二压缩应力层，其中所述第二压缩应力层包括氧化硅，其中所述金属防护罩的侧壁由所述第二压缩应力层保护。

6.根据权利要求5所述的图像传感器器件，其中所述辐射感测像素被配置成检测从所述背侧进入衬底的光。

7.根据权利要求5所述的图像传感器器件，其中所述金属防护罩是拉伸器件。

8.一种制造半导体图像传感器器件的方法，包括：

在半导体衬底中形成多个辐射感测元件，所述衬底包括黑电平校正区域；

在所述衬底上方形成第一压缩层；

在所述第一压缩层上形成金属器件，所述金属器件形成在所述衬底的所述黑电平校正区域上方；以及

在所述金属器件和所述第一压缩层上形成第二压缩层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

所述衬底具有前面和背面；

所述辐射感测元件可操作地感测从所述背面进入所述衬底的光；以及

所述第一压缩层形成在所述衬底的所述背面上方。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述黑电平校正区域包括一个或者多个基准像素。