[发明专利]PMOS正高压电荷泵有效
| 申请号: | 201210239819.4 | 申请日: | 2012-07-10 |
| 公开(公告)号: | CN102751867A | 公开(公告)日: | 2012-10-24 |
| 发明(设计)人: | 王源;丁健平;高晓敏;黄鹏;杜刚;康晋峰;张兴 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
| 主分类号: | H02M3/07 | 分类号: | H02M3/07 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
| 地址: | 100871*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | pmos 高压 电荷 | ||
1.一种PMOS正高压电荷泵,其特征在于,包括多级串联的电荷泵电路,以及一级输出电路,所述输出电路的输入端与最后一级所述电荷泵电路的输出端连接;
其中,每一级所述电荷泵电路包括一个NMOS管、三个PMOS管和一个电容器;其中,所述电容器的一端、第一PMOS管的漏极、栅极和衬底,第二PMOS管的漏极和衬底,以及第三PMOS管的栅极相连在一起,并作为本级电荷泵电路的输出端;第三PMOS管的漏极、NMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极相连在一起;所述NMOS管的栅极与控制信号相连;所述电容器的另一端与时钟信号相连;所述NMOS管的源极、衬底接地;第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源级,以及第三PMOS管的栅极连接在一起,作为本级电荷泵电路的输入端,与输入电压或上一级电荷泵电路的输出端相连;
所述输出电路为所述电荷泵电路去除电容器之后形成的电路。
2.如权利要求1所述的PMOS正高压电荷泵,其特征在于,所述电荷泵电路有四级,第一级、第三级电荷泵电路中的电容的另一端与第一时钟信号CK1连接,第二级和第四级电荷泵电路中的电容的另一端与第二时钟信号CK2连接,第一级、第三级电荷泵电路以及所述输出电路中的NMOS管的栅极与第一控制信号CTL1连接,第二级、第四级电荷泵电路中的NMOS管的栅极与第二控制信号CTL2连接,第一时钟信号CK1与第二时钟信号CK2两相不交叠。
3.如权利要求2所述的PMOS正高压电荷泵,其特征在于,第一控制信号CTL1依据第一时钟信号CK1产生,第二控制信号CTL2依据第二时钟信号CK2产生。
4.如权利要求3所述的PMOS正高压电荷泵,其特征在于,第一控制信号CTL1的上跳沿晚于相应第一时钟信号CK1的下跳沿,第二控制信号CTL2的上跳沿晚于相应第二时钟信号CK2的下跳沿;第一控制信号CTL1的下跳沿早于相应第一时钟信号CK1的上跳沿,第二控制信号CTL2的下跳沿早于相应第二时钟信号CK2的上跳沿。
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