[发明专利]防止晶圆翘曲变形的方法无效
| 申请号： | 201210239663.X | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545169A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 苏波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/265 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张骥 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防止 晶圆翘曲 变形 方法 | ||
1.一种防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一，在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶；
步骤二，对光刻胶进行曝光、显影，暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层；
步骤三，进行离子注入，离子穿过划片槽区域上方的氧化层，注入到硅片；
步骤四，去除光刻胶和氧化层；
步骤五，对经过离子注入的晶圆进行高温退火工艺，使所注入的离子在划片槽内均匀分布，并修复硅的表面损伤。
2.根据权利要求1所述的防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于：所述步骤二中所暴露的划片槽区域是划片槽的一部分；或者是整个划片槽。
3.根据权利要求1所述的防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于：所述步骤三中注入离子的类型是氧离子、氮离子、碳离子中的一种或其中几种的组合。
4.根据权利要求1或3所述的防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于：所述步骤三中离子的注入量范围是1013～1022/cm3。
5.根据权利要求1所述的防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于：所述步骤五中高温退火工艺的热处理温度为400～1200℃；热处理时间为10～60秒。
6.根据权利要求1所述的防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于：所述步骤一中的晶圆直径为150mm以上。
7.根据权利要求1或6所述的防止晶圆翘曲变形的方法，其特征在于：所述步骤一中的晶圆为可能会发生翘曲变形的晶圆；判断晶圆是否会发生翘曲变形的方法为：对晶圆实施高温工艺步骤后，采用光刻套刻机台进行测量或翘曲度测量设备进行测量。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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