[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
申请号: | 201210239365.0 | 申请日: | 2012-07-10 |
公开(公告)号: | CN102881680A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 松木浩久;作间正雄 | 申请(专利权)人: | 富士通半导体股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01Q1/22 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件,包括:
电路板;
半导体元件,其安装在所述电路板上;
屏蔽层,其设置在所述半导体元件的上表面上;
天线元件,其设置在所述屏蔽层的上方;以及
连接部分,其经过所述屏蔽层,并电连接所述半导体元件和所述天线元件。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述连接部分包括硅通孔。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中
所述连接部分具有柱状形状,并经过所述屏蔽层以电连接到所述半导体元件,并且
所述天线元件电连接到所述连接部分。
4.根据权利要求1所述的半导体元件,还包括:
密封树脂,其密封所述半导体元件,其中
所述天线元件设置在所述密封树脂上,
所述连接部分具有柱状形状,并经过所述密封树脂以电连接到所述电路板,并且
所述天线元件电连接到所述连接部分。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件,其中
所述天线元件包括
第一天线层,其设置在所述屏蔽层的上方,
第二天线层,其设置在所述第一天线层的上方,和
介质层,其设置在所述第一天线层和所述第二天线层之间。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件,其中
所述天线元件包括
天线层,其设置在所述屏蔽层的上方,和
介质层,其设置在所述屏蔽层和所述天线层之间。
7.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述天线元件包括经过所述介质层的导电部分。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层包括包含磁性颗粒的树脂层。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层包括由磁性材料组成的磁性层。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层包括由金属材料组成的金属层。
11.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
在半导体元件的上表面形成屏蔽层;
形成柱状连接部分,以经过所述屏蔽层,并电连接到所述半导体元件;
在所述屏蔽层的上方形成天线元件,以电连接到所述连接部分;以及
在形成所述天线元件之后将所述半导体元件安装在电路板上。
12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述柱状连接部分包括经过所述半导体元件的硅通孔。
13.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:
在半导体元件的上表面形成屏蔽层;
在形成所述屏蔽层之后将所述半导体元件安装在电路板上;
将柱状连接部分电连接到所述电路板;
用密封树脂密封所述半导体元件和所述连接部分;并且
在所述密封树脂的上方形成天线元件,以电连接到所述连接部分。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士通半导体股份有限公司,未经富士通半导体股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210239365.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。