[发明专利]半导体器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201210239365.0 申请日: 2012-07-10
公开(公告)号: CN102881680A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 松木浩久;作间正雄 申请(专利权)人: 富士通半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01Q1/22
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷
地址: 日本神*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体器件 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

电路板;

半导体元件,其安装在所述电路板上;

屏蔽层,其设置在所述半导体元件的上表面上;

天线元件,其设置在所述屏蔽层的上方;以及

连接部分,其经过所述屏蔽层,并电连接所述半导体元件和所述天线元件。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述连接部分包括硅通孔。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中

所述连接部分具有柱状形状,并经过所述屏蔽层以电连接到所述半导体元件,并且

所述天线元件电连接到所述连接部分。

4.根据权利要求1所述的半导体元件,还包括:

密封树脂,其密封所述半导体元件,其中

所述天线元件设置在所述密封树脂上,

所述连接部分具有柱状形状,并经过所述密封树脂以电连接到所述电路板,并且

所述天线元件电连接到所述连接部分。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体器件,其中

所述天线元件包括

第一天线层,其设置在所述屏蔽层的上方,

第二天线层,其设置在所述第一天线层的上方,和

介质层,其设置在所述第一天线层和所述第二天线层之间。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体器件,其中

所述天线元件包括

天线层,其设置在所述屏蔽层的上方,和

介质层,其设置在所述屏蔽层和所述天线层之间。

7.根据权利要求5所述的半导体器件,其中,所述天线元件包括经过所述介质层的导电部分。

8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层包括包含磁性颗粒的树脂层。

9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层包括由磁性材料组成的磁性层。

10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述屏蔽层包括由金属材料组成的金属层。

11.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:

在半导体元件的上表面形成屏蔽层;

形成柱状连接部分,以经过所述屏蔽层,并电连接到所述半导体元件;

在所述屏蔽层的上方形成天线元件,以电连接到所述连接部分;以及

在形成所述天线元件之后将所述半导体元件安装在电路板上。

12.根据权利要求11所述的方法,其中,所述柱状连接部分包括经过所述半导体元件的硅通孔。

13.一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:

在半导体元件的上表面形成屏蔽层;

在形成所述屏蔽层之后将所述半导体元件安装在电路板上;

将柱状连接部分电连接到所述电路板;

用密封树脂密封所述半导体元件和所述连接部分;并且

在所述密封树脂的上方形成天线元件,以电连接到所述连接部分。

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