[发明专利]一种提升继电器性能的高抗振集成系统无效
| 申请号： | 201210238997.5 | 申请日： | 2012-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103545145A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 裴芳 | 申请（专利权）人： | 裴芳 |
| 主分类号： | H01H45/00 | 分类号： | H01H45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 315112 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提升 继电器 性能 高抗振 集成 系统 | ||
【权利要求书】：
1. 一种提升继电器性能的高抗振集成系统，其特征在于包括：共振金属片（1）、继电器接触面（2）、内置配重块（3）、锁紧装置（4）、内部导向套(5)，共振金属片（1）焊接设置于继电器接触面（2）上，共振金属片（1）与继电器的的内置配重块（3）接触，提供初始的预应力，所述锁紧装置（4）与内置配重块（3）轴向匹配贴合。
2.根据权利要求1所述的一种提升继电器性能的高抗振集成系统，其特征在于：所述的共振金属片（1）与继电器接触面（2）为点焊衔接。
3.根据权利要求1所述的一种提升继电器性能的高抗振集成系统，其特征在于：所述的共振金属片（2）为高弹性合金铜带拉制成型。
4.根据权利要求3所述的一种提升继电器性能的高抗振集成系统，其特征在于：所述的共振金属片（2）的合金铜带为钨铜（银）合金。
5.根据权利要求4所述的一种提升继电器性能的高抗振集成系统，其特征在于：所述的钨铜合金的采用粉末冶金方法制取。
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