[发明专利]无源电子标签谐振频率及Q值检测传感器

说明书

技术领域

本发明属于电子信息技术领域，具体为一种检测无源电子标签（EAS）谐振频率及Q值的检测传感器。

背景技术

EAS电子标签目前广泛应用于零售，物流等行业；中国是制造业大国，全球的电子标签大部分由中国生产。但国内生产电子标签的企业普遍存在检测手段落后，精密检测设备缺乏等状况。而国外相关检测设备价格过于昂贵，且存在一定程度的技术障碍；国内设备则普遍存在无法准确检测Q值，精度低，或受标签类型限制通用性差等缺陷，并且普遍缺乏检测有效容积这一指标的功能。因此急需一种新型的国产EAS检测系统，提高精度，完善检测指标，提高检测效率，降低生产成本。

通常对无源电子标签的检测采用双线圈模型，这是一种类似于实际应用中防盗系统的结构。发射线圈持续产生交变磁场，如果防盗标签进入磁场区域且频率为电子标签的谐振频率时（谐振频率由电子标签LC谐振回路电容和电感值决定,                                               ）电子标签将产生谐振，特定区域内磁场强度突变，接收线圈感应磁场强度变化，判断谐振频率。但这种结构存在缺陷，因为发射与接收线圈间，标签与发射和接收线圈间都会互相干扰；特别是标签对发射线圈的影响将改变原磁场的强度，而且由于不同标签对发射线圈的影响不同使得数据修正不可能实现；同时，发射线圈对接收线圈的影响叠加于标签产生的磁场上，无法区分。这些都会导致谐振频率产生偏差，对Q值判定误差的影响将更为严重。

 

发明内容

本发明针对现有检测技术的弊端，开发新型检测传感器，使之能够准确测定电子标签的谐振频率及Q值。

本发明解决技术问题所采取的技术方案为：

无源电子标签谐振频率及Q值检测传感器包括两个发射线圈和一个接收线圈；所述的接收线圈位于两个发射线圈之间，两个发射线圈紧贴设置。

所述的两个发射线圈结构相同，每个发射线圈包括主发射线圈和辅发射线圈，主发射线圈和辅发射线圈的相对处开口，主发射线圈的开口上端处通过第一导线与辅发射线圈的开口上端处连接，主发射线圈的开口下端处通过第二导线与辅发射线圈的开口下端处连接，主发射线圈和辅发射线圈半径相同，呈对称设置。

所述的接收线圈包括主接收线圈和辅接收线圈，主接收线圈和辅接收线圈的相对处开口，主接收线圈的开口上端处通过第三导线与辅接收线圈的开口上端处连接，主接收线圈的开口下端处与第四导线的一端连接，辅接收线圈的开口下端处与第五导线的一端连接；主接收线圈和辅接收线圈半径相同，呈对称设置。

所述的主接收线圈的半径大于待测电子标签的半径，且小于主发射线圈半径的一半。

所述的第一导线接输入信号的正极、第二导线接输入信号的负极；所述的第四导线的另一端为输出信号的正极、第五导线的另一端为输出信号的负极。

所述的主发射线圈和主接收线圈同心设置。

所述的两个发射线圈与输入信号的连接处共点。

本发明消除了发射线圈与接收线圈间、标签分别与发射和接收线圈间的互相干扰；解决了传统测试传感器因以上各部分间干扰导致谐振频率测量误差和无法测试电子标签Q值的问题。

附图说明

图1 为本发明的结构示意图；

图2 为本发明俯视图；

图3 为双线圈检测模型原理图；

图4为本发明原理图；

图5为无标签时干扰值强弱测试；

图6为对4MHz电子标签进行检测的幅频特性曲线；

图7为对8MHz电子标签进行检测的幅频特性曲线。

具体实施方式

以下结合附图对本发明作进一步说明。

如图1和图2所示，无源电子标签谐振频率及Q值检测传感器，包括两个发射线圈和一个接收线圈，接收线圈位于两个发射线圈和之间；两个发射线圈重合并紧贴设置。

两个发射线圈结构相同，每个发射线圈包括主发射线圈1-1、2-1和辅发射线圈1-2、2-2，主发射线圈和辅发射线圈的相对处开口，主发射线圈的开口上端处通过第一导线4-1与辅发射线圈的开口上端处连接，主发射线圈的开口下端处通过第二导线4-2与辅发射线圈的开口下端处连接，主发射线圈和辅发射线圈圆半径相同，呈完全对称结构。