[发明专利]PMOS晶体管及其形成方法

权利要求书

1.一种PMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供单晶硅衬底，在所述衬底上形成栅极结构，所述栅极结构包括形成在衬底上的栅介质层及形成在所述栅介质层上的栅电极；

在衬底上形成位于所述栅极结构两侧的轻掺杂漏结构；

在所述栅极结构两侧形成位于所述轻掺杂漏结构上方的第一侧墙；

在所述栅极结构两侧形成位于所述轻掺杂漏结构上方的第二侧墙，所述第一侧墙位于所述栅极结构与所述第二侧墙之间，所述第二侧墙的材料与第一侧墙的材料不相同；

以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成sigma形第一凹槽；

在所述第一凹槽内形成硅锗材料。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述栅极结构还包括设置在所述栅电极上方的掩模层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述掩模层的材料为氮化硅。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙包括第一子侧墙及第二子侧墙，与所述第二子侧墙相比，所述第一子侧墙更靠近所述栅极结构，所述第一子侧墙的材料与第二子侧墙的材料不相同，且所述第二子侧墙的材料与所述第二侧墙的材料不相同。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一侧墙的形成方法包括：

在所述衬底、轻掺杂漏结构及栅极结构上形成第一子侧墙材料层；

在所述第一子侧墙材料层上形成第二子侧墙材料层；

对所述第二子侧墙材料层及第一子侧墙材料层进行回刻，形成所述第一子侧墙及第二子侧墙。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一子侧墙的材料为氧化硅，第二子侧墙的材料为氮化硅，所述第二侧墙的材料为氧化硅。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽的形成方法包括：

以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成第一沟槽，所述第一沟槽呈碗状；

将所述第一沟槽暴露在TMAH水溶液中，所述TMAH水溶液腐蚀衬底，在衬底中预形成源极及漏极的区域形成所述第一凹槽。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一沟槽的形成方法包括：

以所述栅极结构、第一侧墙及第二侧墙为掩模，利用各向异性的干法刻蚀在衬底中预形成源极及漏极的区域形成凹槽，所述各向异性的干法刻蚀工艺参数包括：刻蚀气体包括CF4和HBr，温度为40℃~60℃，功率为200W~400W，偏压为50V~200V，时间为10s~20s；

利用各向同性的干法刻蚀蚀刻所述凹槽以形成所述第一沟槽，所述各向同性的干法刻蚀工艺参数包括：刻蚀气体包括Cl₂和NF₃，温度为40℃~60℃，功率为100W~500W，偏压为0V~10V，时间为5s~50s。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一凹槽的形成工艺参数包括：时间为60s~180s，温度为20℃~60℃,TMAH水溶液的体积百分比浓度为2%~20%。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述第一凹槽之后并在形成所述硅锗材料之前，去除所述第二侧墙。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，去除所述第二侧墙之后并在形成所述硅锗材料之前，去除被所述第二侧墙覆盖过的衬底以形成第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一凹槽连通，并与所述第一凹槽组成第二凹槽。

12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，利用TMAH水溶液去除被所述第二侧墙覆盖过的衬底。

13.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，在所述第一凹槽内形成所述硅锗材料的同时，在所述第二沟槽内形成所述硅锗材料。

14.根据权利要求10或11所述的方法，其特征在于，形成所述硅锗材料之后，还包括：

在所述衬底、栅极结构、第一侧墙及硅锗材料上形成层间介质层；

对所述层间介质层进行平坦化处理，直至露出所述栅极结构中的栅电极；

去除所述栅电极及栅介质层，在所述栅极结构所在的区域形成第三沟槽；

在所述第三沟槽内形成高k栅介质层、金属层，形成金属栅电极。