[发明专利]一种具有可调节电势分布的半导体装置及其制备方法

权利要求书

1.一种具有可调节电势分布的半导体装置，其特征在于：包括：

主结，为单个半导体结，具有半导体材料构成的漂移区；

副结，为多个半导体结串联构成，临靠主结，副结与主结首尾并联，同时在主结的漂移区和副结之间通过绝缘材料进行隔离，副结临靠包裹主结的侧面或表面。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的半导体结为PN结。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的主结为PN结。

4.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结为多个PN结串联构成，PN结之间直接相连，或者通过金属相连。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结与主结首尾并联为首尾半导体材料直接相连，或者为通过金属相连。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：所述的副结完全为多晶半导体材料构成。

7.如权利要求1所述的一种具有可调节电势分布的半导体装置的制备方法，其特征在于：包括如下步骤：

1)在衬底片上通过外延生产形成第一传导类型的半导体材料层；

2)在表面形成钝化层，去除部分蚀钝化层，进行主结和副结第二导电杂质掺杂；

3)去除部分蚀钝化层，进行刻蚀形成沟槽，在沟槽内形成绝缘材料；

4)去除部分钝化层，在器件表面淀积金属，反刻蚀金属。