[发明专利]半导体发光元件和发光元件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光元件，包括：

经图案化的基底，包括多个图案，每一該图案包括多个斜面区以及与该多个斜面区相邻接的底部区；

半导体缓冲层，形成在该经图案化的基底上；

发光叠层，形成在该半导体缓冲层上，该发光叠层包括第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层；和

第一电极与第二电极，分别与该第一导电类型半导体层和该第二导电类型半导体层电连接；

其中该图案上端为圆滑封闭曲线，且该图案底部区大約为三角形。

2.如权利要求1所述的光元件，其中该经图案化的基底的材料包括蓝宝石，该多个斜面区包括至少蓝宝石R面。

3.如权利要求1所述的发光元件，其中该圆滑封闭曲线为圆形或椭圆形。

4.一种发光元件的制造方法，其包括下列各步骤：

提供基板；

形成经图案化的掩模层在基板上，以裸露该基板的一部分；

以湿蚀刻方式移除该裸露部分的该基板至预定深度，以形成圖案於該基板；并且

形成半导体层在该基板及该圖案上；

其中该图案形狀包含圆滑封闭曲线。

5.如权利要求4所述的制造方法，其中形成该经图案化的掩模层在该基板上还包括以下步骤:

形成经图案化的光致抗蚀剂层在掩模层上，以裸露该掩模层的一部分；

以湿蚀刻或干蚀刻方式去除该裸露的部分，以裸露该基板的一部分；并且

移除该经图案化的光致抗蚀剂层。

6.如权利要求4所述的制造方法，其中所述的湿蚀刻方式是以硫酸和磷酸的混合溶液蚀刻该基板。

7.如权利要求6所述的制造方法，其中该混合溶液中磷酸的重量百分比大于硫酸的重量百分比。

8.如权利要求4所述的制造方法，其中所述的湿蚀刻方式的操作温度为摄氏250至350度。

9.如权利要求4所述的制造方法，其中该图案包括底部区及邻接于该底部区的多个斜面区。

10.如权利要求8所述的制造方法，其中该底部区大約為三角形。

11.如权利要求8所述的制造方法，其中该基板的材料包括蓝宝石，该多个斜面区包括蓝宝石R面。

12.如权利要求4所述的制造方法，其中该圆滑封闭曲线为圆形或椭圆形。