[发明专利]一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法有效
| 申请号： | 201210237442.9 | 申请日： | 2012-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN102730631A | 公开（公告）日： | 2012-10-17 |
| 发明（设计）人： | 钱林茂;吴治江;余丙军;郭剑;宋晨飞;周仲荣 | 申请（专利权）人： | 西南交通大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 成都博通专利事务所 51208 | 代理人： | 陈树明 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 多点 接触 模式 大面积 表面 织构化 加工 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法，其步骤是：
(1)将硅(100)单晶片置于多点接触板垂直下方位置，再使硅(100)单晶片与多点接触板两者垂直相对运动至发生接触，并达到设定的接触载荷F；其中，多点接触板的具体构成是：基底上固定有多个曲率半径为500nm～250μm的微球，多个微球的顶点处于同一平面上；
(2)在设定的接触载荷F下，使多点接触板和硅(100)单晶片按照设定轨迹相对运动，使多点接触板对硅(100)单晶片进行刻划；
(3)刻划完成后，使硅(100)单晶片脱离多点接触板，再将硅(100)单晶片放入质量分数为15～25％的KOH溶液中，腐蚀3～8分钟，即在硅(100)单晶片上加工出相应的织构化结构。
2.根据权利要求1所述的一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法，其特征在于，所述的步骤(2)的刻划过程中，所述的硅(100)单晶片与多点接触板始终保持平行。
3.根据权利要求1所述的一种多点接触模式下的大面积硅表面织构化加工方法，其特征在于，所述的设定的接触载荷F为1～600mN/微球。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南交通大学，未经西南交通大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210237442.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
