[发明专利]可变增益放大器电路

权利要求书

1.一种可变增益放大器电路(300)，包括：

第一晶体管(310)和第二晶体管(312)，其中第一晶体管(310)和第二晶体管(312)被布置为共基极晶体管；和

附加晶体管(320)，该附加晶体管(320)被配置为提供具有第一晶体管(310)和第二晶体管(312)的跨导线性环的一部分；

其中，通过第一晶体管(310)的导电沟道的电流被配置为贡献于可变增益放大器电路电流的输出，并且该电路(300)被配置为使得通过第二晶体管(312)的导电沟道的电流被复制至附加晶体管(322)。

2.根据权利要求1所述的电路，其中附加晶体管(322)被配置为使得电流以与流过第二晶体管(312)的基极-发射极结的电流相反的方式流过附加晶体管(322)的基极-发射极结。

3.根据权利要求1或2所述的可变增益放大器电路(500)，包括电流舵共射共基放大器(502)，该电流舵共射共基放大器(502)包括第一晶体管(510)和第二晶体管(512)。

4.根据权利要求3所述的可变增益放大器电路(500)，电流舵共射共基放大器(502)还包括第三晶体管(511)，其中第三晶体管(511)被布置为共发射极晶体管。

5.根据权利要求4所述的可变增益放大器电路(500)，其中第三晶体管(511)的集电极连接至第一晶体管(510)和第二晶体管(512)二者的发射极。

6.根据前述任一项权利要求所述的电路，还包括电流镜(330，332)，该电流镜被配置为将通过第二晶体管(312)的导电沟道的电流耦合至附加晶体管(322)的导电沟道。

7.根据权利要求1-5中任一项所述的电路，还包括两个电流镜(330，332)，这两个电流镜(330，332)被配置为将通过第二晶体管(312)的导电沟道的电流耦合至附加晶体管(322)的导电沟道。

8.根据前述任一项权利要求所述的电路，还包括电压源或具有电压输出的电路，该电压源或该具有电压输出的电路被配置为提供控制电压用于设置可变增益放大器电路(300)的增益。

9.根据权利要求8所述的电路，还包括：

电流源(328)；和

提供跨导线性环的一部分的控制晶体管(320)；

其中电流源(328)被配置为提供电流至控制晶体管(320)，该电流具有与控制电压成指数关系的值。

10.根据权利要求8所述的电路，还包括：

提供跨导线性环的一部分的控制晶体管(320)；和

另一个晶体管，其中所述另一个晶体管的导电沟道与控制晶体管(320)的导电沟道串联设置；

其中所述另一个晶体管被配置为在其基极处接收控制电压，并将电流提供至控制晶体管(320)，该电流具有与控制电压成指数关系的值。

11.根据权利要求10所述的电路，其中所述另一个晶体管独立于跨导线性环。

12.根据前述任一项权利要求所述的电路，其中可变增益放大器电路(300)包括被配置为形成跨导线性环的一部分的一个或多个额外晶体管(324，326)，设置成具有从基极到发射极围绕跨导线性环流动的电流的晶体管的数量等于设置成具有从发射极到基极围绕跨导线性环流动的电流的晶体管的数量。

13.根据前述任一项权利要求所述的电路，其中所述晶体管中的一个或多个或全部为双极结型晶体管。

14.一种集成电路，包括根据前述任一项权利要求所述的电路。