[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法有效
申请号: | 201210236763.7 | 申请日: | 2012-07-09 |
公开(公告)号: | CN102903728B | 公开(公告)日: | 2016-11-23 |
发明(设计)人: | 李在濠 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L21/77 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 罗正云;王琦 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 及其 制造 方法 | ||
1.一种有机发光二极管显示器,包括:
基板;
位于所述基板上的有机发光二极管;
有机膜,被配置为在具有第一直径的有机膜沉积区域中覆盖位于所述基板上的所述有机发光二极管;以及
无机膜,被配置为在具有第二直径的无机膜沉积区域中覆盖位于所述基板上的所述有机膜,其中L1是所述有机膜沉积区域的单位为μm的所述第一直径,其中L2是所述无机膜沉积区域的单位为μm的所述第二直径,其中D是所述有机膜的单位为μm的厚度,并且其中L2-L1≥2(171D+150μm)。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器,其中200μm≤(L2-L1)≤6000μm。
3.一种用于制造有机发光二极管显示器的方法,该方法包括:
在基板的一侧上形成有机发光二极管;
在所述基板的所述侧上且在有机膜沉积区域中形成用于覆盖所述有机发光二极管的有机膜;并且
在所述基板上且在无机膜沉积区域中形成用于覆盖所述有机膜的无机膜,
其中L1是所述有机膜沉积区域的单位为μm的直径,L2是所述无机膜沉积区域的单位为μm的直径,D是所述有机膜的单位为μm的厚度,并且L2-L1≥2(171D+150μm)。
4.根据权利要求3所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法,其中200μm≤(L2-L1)≤6000μm。
5.根据权利要求3所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法,其中形成所述有机膜包括:放置具有与所述有机发光二极管相对应的第一开口的第一掩膜;并且通过所述第一开口沉积所述有机膜的材料,
其中形成所述无机膜包括:放置具有与所述有机膜形成在所述基板上的所述有机膜沉积区域相对应的第二开口的第二掩膜;并且通过所述第二开口沉积所述无机膜的材料,
其中所述第一开口具有所述第一掩膜的面对所述基板的后侧上的直径大于所述第一掩膜的与所述后侧相对的表面侧上的直径的台阶,
其中L1’是所述第一开口在所述第一掩膜的所述表面侧上的单位为μm的直径,
其中L2’是所述第二开口的单位为μm的直径,
其中A是所述台阶的单位为μm的高度,并且
其中L2'-L1'≥2(1.5214×10-3A+210μm)。
6.根据权利要求5所述的用于制造有机发光二极管显示器的方法,其中200μm≤(L2'-L1')≤6000μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的