[发明专利]在单晶圆装置中蚀刻氮化硅

权利要求书

1.一种方法，包括：

在单晶圆蚀刻装置中蚀刻氮化硅层，其中，所述蚀刻氮化硅层包括：

将磷酸加热至第一温度；

将硫酸加热至第二温度；

将经过加热的磷酸与经过加热的硫酸相混合；以及

利用经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻所述氮化硅层。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：将所述磷酸/硫酸混合物加热至蚀刻温度。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻温度高于或者等于大约120℃。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：将经过加热的水蒸汽与所述磷酸/硫酸混合物相混合。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述经过加热的磷酸与所述经过加热的硫酸相混合包括：利用所述硫酸和水蒸汽或者热水之间的放热反应。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，将所述经过加热的磷酸与所述经过加热的硫酸相混合与将所述磷酸/硫酸混合物加热至蚀刻温度同时发生。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，利用所述经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻所述氮化硅层包括：将所述经过加热的磷酸/硫酸混合物分布至旋转的晶圆的表面上，其中，所述晶圆包括氮化硅层。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述磷酸/硫酸混合物所包含的所述硫酸和所述磷酸按体积计的含量大致相等。

9.一种单晶圆蚀刻装置，包括：

第一流道，用于运载硫酸；

第一加热器，与所述第一流道相连接，所述第一加热器用于在所述第一流道中将所述硫酸加热至第一温度；

第二流道，用于运载磷酸；

第二加热器，与所述第二流道相连接，所述第二加热器用于在所述第二流道中将所述磷酸加热至第二温度；

混合器，与所述第一流道和所述第二流道相连接，使得所述经过加热的硫酸和所述经过加热的磷酸相结合形成处于蚀刻温度的硫酸-磷酸混合物；以及

喷嘴，与所述混合器相连接，所述喷嘴用于将所述硫酸-磷酸混合物传送至晶圆。

10.一种方法，包括：

在单晶圆蚀刻装置中蚀刻材料层，其中，所述蚀刻材料层包括：

提供磷酸和硫酸的混合物；

将所述磷酸/硫酸混合物加热至蚀刻温度，其中，所述加热包括：

将水蒸汽注入所述磷酸/硫酸混合物中；以及

利用所述经过加热的磷酸/硫酸混合物蚀刻所述材料层。