[发明专利]基于彩虹局域效应的光纤在线存储器

权利要求书

1.一种基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，包括单模光纤1，其特征是：所述单模光纤（1）上有一段D型凹槽，D型凹槽的底部距单模光纤的纤芯中心的距离d满足0≤d≤r+1μm，其中r为纤芯的半径，D型凹槽的底部表面有利用光学微加工技术形成的金属光栅结构（4）。

2.根据权利要求1所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述的金属光栅结构（4）是光栅周期Λ和光栅单元（6）栅宽t是定值，光栅单元（6）栅高h是呈梯度变化的梯度金属光栅，宽带光源（5）从梯度金属光栅单元（6）高度h较小的一侧注入。

3.根据权利要求1所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述的金属光栅结构（4）是光栅单元（6）栅高h和光栅单元（6）栅宽t是定值，周期Λ为呈啁啾变化的啁啾金属光栅，宽带光源（5）从啁啾金属光栅单元（6）周期Λ较小的一侧注入。

4.根据权利要求1所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述的金属光栅结构（4）是周期Λ和光栅单元（6）栅高h是定值，光栅单元（6）栅宽t为呈啁啾变化的啁啾金属光栅，宽带光源（5）从啁啾金属光栅单元（6）栅宽t较小的一侧注入。

5.根据权利要求1-4任何一项所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：金属光栅结构（4）的周期Λ范围为200-700纳米，光栅单元（6）栅高h为5-1000纳米，光栅单元（6）栅宽t为10-300纳米。

6.根据权利要求1-4任何一项所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述D型凹槽是由单模光纤与一段D型光纤连接构成，或对单模光纤侧抛形成。

7.根据权利要求5所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述D型凹槽是由单模光纤与一段D型光纤连接构成，或对单模光纤侧抛形成。

8.根据权利要求1-4任何一项所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述金属光栅结构4是在D型凹槽底表面直接制作的金属光栅结构，或者是先利用光刻技术在D型凹槽底表面刻光栅结构的微槽，然后将金属沉积在微槽中形成埋入式金属光栅结构。

9.根据权利要求5所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述金属光栅结构4是在D型凹槽底表面直接制作的金属光栅结构，或者是先利用光刻技术在D型凹槽底表面刻光栅结构的微槽，然后将金属沉积在微槽中形成埋入式金属光栅结构。

10.根据权利要求6所述的基于彩虹局域效应的光纤在线存储器，其特征是：所述金属光栅结构4是在D型凹槽底表面直接制作的金属光栅结构，或者是先利用光刻技术在D型凹槽底表面刻光栅结构的微槽，然后将金属沉积在微槽中形成埋入式金属光栅结构。