[发明专利]发光二极管封装结构

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管封装结构。

背景技术

发光二极管(LED，Light Emitting Diode)以其亮度高、工作电压低、功耗小、易与集成电路匹配、驱动简单、寿命长等优点，从而可作为光源而广泛应用于照明领域，具体可参见Joseph Bielecki等人在文献2007 IEEE,23rd IEEE SEMI-THERM Symposium中的Thermal Considerations for LED Components in an Automotive Lamp一文。发光二极管是一种可将电流转换成特定波长范围的光的半导体元件。

一般发光二极管晶粒在磊晶制程中会因为气体发散不均，导致单一晶圆的不同区域具有不同晶格质量，即同一晶圆的不同区域的发光二极管晶粒具有不同晶格质量。不同晶格质量的发光二极管晶粒产生不同的波长范围。然而，现有技术为了获得较纯的出光，会使用波长一致的发光二极管晶粒，如此一来，导致晶圆的利用率较低。

进一步地，现有的白光发光二极管封装结构中，为了增加其演色性，一般的白光发光二极管封装结构会包括多种发光二极管芯片或者多种荧光粉。然而，使用多种发光二极管芯片或者多种荧光粉会使成本增加。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种成本较低且可以发出高演色性白光的发光二极管封装结构。

一种发光二极管封装结构，其包括第一发光二极管芯片、第二发光二极管芯片以及荧光粉。该第一发光二极管芯片发出的光具有第一波长。该第二发光二极管芯片发出的光具有第二波长。该第一波长与第二波长均分布在380纳米至480纳米之间，且该第一波长与第二波长之差小于等于15纳米。该荧光粉位于该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片的出光路径上，该荧光粉的激发波长分布在550纳米至560纳米之间，该荧光粉在第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片发出的光的激发下，将该第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片发出的光的波长进行转换。

该发光二极管封装结构通过对第一发光二极管芯片与第二发光二极管芯片发出的光的波长进行限定，并搭配一种相应的荧光粉，即可得到高演色性的白光。该发光二极管封装结构仅使用两种发光二极管芯片与一种荧光粉，结构简单，且降低了成本。

附图说明

图1是本发明第一实施例提供的照明装置的剖面示意图。

具体实施方式

请参照图1，为本发明实施例提供的发光二极管封装结构100的剖面示意图。该发光二极管封装结构置100包括基座10、分别固定于基座10相对两端的第一引脚20及第二引脚30、分别安装于第一引脚20与第二引脚30的第一发光二极管40、第二发光二极管50、覆盖该第一发光二极管40与第二发光二极管50的封装体60。

上述基座10包括基底11及形成基底11上的反射杯12。所述反射杯12呈环状，其中部形成一凹陷部（未标示）。所述第一引脚20及第二引脚30均由金属材料制成，并弯折成U型，分别穿置于基座10的基底11的相对两端。第一引脚20与第二引脚30相互隔开以避免短路。所述基座10可以由LCP(Liquid Crystal Polymer，即液晶高分子)材料一体制成，也可以为不同材料分开制造，比如所述基座10的反射杯12由LCP材料制成，而基底11为硅基板、塑料基板或陶瓷基板。另外，在制作中，所述LCP材料中可以混入塑胶(Plastic)粒子、陶瓷(Ceramic)粒子或者高挥发性溶液。

上述该第一发光二极管40与第二发光二极管50容置于所述基座10的反射杯12内，并分别固定于第一引脚20与第二引脚30上，其是由氮化镓、氮化铟镓等半导体化合材料所制成。

该第一发光二极管40与第二发光二极管50的电极分别连接至第一引脚20及第二引脚30以实现电性导通。在本实施例中，该第一发光二极管40发出的光具有第一波长。该第二发光二极管50发出的光具有第二波长。该第一波长与第二波长均分布在380纳米至480纳米之间，且该第一波长与第二波长之差小于等于15纳米。

上述封装体60填满反射杯12的凹陷部内以保护位于凹陷部内的该第一发光二极管40与第二发光二极管50。该封装体60中分布有荧光粉70。在本实施例中，该荧光粉70的激发波长分布在550纳米至560纳米之间。该荧光粉70在第一发光二极管芯片40与第二发光二极管芯片50发出的光的激发下，将该第一发光二极管芯片40与第二发光二极管芯片50发出的光的波长进行转换，从而使该发光二极管封装结构置100发出高演色性的白光。