[发明专利]超高导热双面铝基线路板及其制备方法

权利要求书

1.一种超高导热双面铝基线路板，其特征在于：包括铝基板材（11）、在铝基板材（11）上开设的用于将所述铝基板材（11）上下两面相连通的导电孔（16）、及所述铝基板材（11）上下两面和所述导电孔（16）孔壁通过氧化方法处理的用于绝缘导热的氧化铝层（12）、和按序附着在所述氧化铝层（12）表面的PVD复合涂层（13）及通过PVD方法制备的用于制作导电线路的Cu涂层（26），所述PVD复合涂层（13）至少包括通过PVD方法制备的用于绝缘导热的DLC涂层（23）。

2.根据权利要求1所述的超高导热双面铝基线路板，其特征在于：所述PVD复合涂层（13）还包括起过渡作用的第一Si涂层（22）、第二Si涂层（24），所述PVD复合涂层的涂层结构顺序是：第一Si涂层（22）—DLC涂层（23）—第二Si涂层（24）。

3.根据权利要求1或2所述的任意一种超高导热双面铝基线路板，其特征在于：所述PVD复合涂层（13）与Cu涂层（26）之间还设有一起过渡作用的第三过渡涂层（25）。

4.根据权利要求3所述的超高导热双面铝基线路板，其特征在于：所述第三过渡涂层（25）为Ti涂层或Cr涂层或Ni涂层。

5.根据权利要求4所述的超高导热双面铝基线路板，其特征在于：所述第一Si涂层（22）的厚度为100nm-500nm；所述DLC涂层（23）的厚度为0.5um-5um；所述第二Si涂层（24）的厚度为100nm-500nm；所述第三过渡涂层（25）的厚度为100nm-500nm；所述线路Cu涂层（26）的厚度为5um。

6.根据权利要求1所述的超高导热双面铝基线路板，其特征在于：所述Cu涂层（26）的表面还设有通过电镀方法制备得到的加厚铜层。

7.根据权利要求1或6所述的任意一种超高导热双面铝基线路板，其特征在于：所述Cu涂层（26）或加厚铜层上设有防焊和保护作用的阻焊层（14），或/及起保护作用的表面处理层（15）。

8.一种超高导热双面铝基线路板的制备方法，其特征在于：包括如下步骤，

步骤一，铝基板材清洗步骤，用超声波设备清洗铝基板材（11），并烘干；

步骤二，铝基板材钻孔步骤，对步骤一清洗完成的铝基板材（11）进行导电孔（16）的钻孔处理；

步骤三，铝基板材氧化步骤，将步骤二钻孔后的铝基板材（11）放入温度70℃的40g/L-100g/L氢氧化钠溶液中碱蚀1min-3min，再用10%硝酸中和；然后将铝基板材（11）放入温度在10℃-30℃的10g/L-40g/L酸液中进行阳极氧化，所述酸液为硫酸和草酸的混合溶液，其中草酸溶质含量为总溶质的70%-100%，电流密度为1A/dm²-5A/dm²，氧化时长30min-120min；氧化结束后用高温水封孔10min-30min，得到形成在铝基板材（11）表面和导电孔（16）孔壁表面的氧化铝层（12）；

步骤四，PVD复合涂层沉积步骤，按操作先后顺序依次包括：PVD预处理步骤、DLC涂层沉积步骤，其中：

PVD预处理步骤，将经过步骤三氧化后的铝基板材（11）夹于真空镀膜室中，调节真空度高于5.0×10^-4Pa，向真空镀膜室内通入纯度为99.999%的氩气，流量10-100sccm，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.1-5Pa，开启离子束电源，使用离子束对引入的氩气进行离化并轰击所述铝基板材（11），离子束的电压为1000-3000V，轰击时间10-30分钟；

DLC涂层沉积步骤，向真空镀膜室内通入气流量300-500sccm、纯度为98%的乙炔气体，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.1-5Pa，开启离子束电源，使用离子束对所述铝基板材（11）进行DLC的镀膜，电压控制在800-2000V，并同时开启偏压电源，射频偏压的频率为13.56MHz，功率为50W-500W，沉积时间为120-160分钟，得到的DLC涂层（23）的厚度为0.5-5μm；

步骤五，Cu涂层沉积步骤，向真空镀膜室内通入气流量50-70sccm、纯度为99.999%的氩气，并保持真空镀膜室内的工艺真空度为0.1-5Pa，开启溅射电源，使用非平衡磁控溅射阴极对所述铝基板材（11）进行Cu镀膜，所述非平衡磁控溅射阴极上施加直流电压为300-500V，沉积时间为20-40分钟，得到的Cu涂层（26）厚度为5μm。