[发明专利]无刺黄瓜嫁接育苗方法无效
申请号: | 201210233590.3 | 申请日: | 2012-07-08 |
公开(公告)号: | CN102783365A | 公开(公告)日: | 2012-11-21 |
发明(设计)人: | 王峰 | 申请(专利权)人: | 成都威联达农业技术服务有限公司 |
主分类号: | A01G1/06 | 分类号: | A01G1/06 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610100 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 黄瓜 嫁接 育苗 方法 | ||
1.一种无刺黄瓜嫁接育苗方法,其特征在于包括以下步骤:
a.培育黄瓜苗:选用优质种子,对种子进行处理和催芽,播种并进行播种后的管理;
b.培育砧木:砧木选用南瓜的种子培育而成;
c.嫁接:在砧木苗茎的较窄的一侧,靠近子叶,与砧木苗茎约成30~40°的夹角向前斜削1条长0.8~1.0cm的切口,切口深达茎粗的2/3左右;在黄瓜苗茎的较宽一侧,距子叶约2cm处与苗茎成30°左右的夹角,向前削一刀,刀口长度与砧木苗相同,刀口深达黄瓜苗茎粗的3/4左右;将黄瓜苗和砧木苗的苗茎切口对正、对齐,嵌合插好;用塑料夹从黄瓜苗一侧夹入,把两瓜苗的结合部位夹牢;
d. 嫁接后的管理;控制温度、湿度、水份和光照,并适时进行断根,嫁接苗达到2叶1心后定植。
2.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述a步骤中黄瓜苗播种密度为间距3~4cm。
3.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述a步骤中黄瓜苗播种后育苗床用地膜覆盖保温、保湿,床面温度保持白天25~32℃,夜间20℃左右;全苗后,床面温度保持白天22~28℃,夜间15℃左右。
4.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述b步骤中砧木苗采用畦面直播法,较黄瓜晚一天播种,砧木苗播种间距在2cm左右。
5.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述c步骤中进行嫁接的黄瓜苗要求2片子叶充分展开,第1片真叶露出大半或初展,子叶到地面之间的幼茎高5cm左右;砧木苗要求2片子叶初展或刚展平,未露心叶或刚露小尖,子叶到地面之间的苗茎高度4 cm左右。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都威联达农业技术服务有限公司,未经成都威联达农业技术服务有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210233590.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:充电器
- 下一篇:电连接器及使用这种电连接器的薄型电子装置