[发明专利]无刺黄瓜嫁接育苗方法无效

专利信息
申请号: 201210233590.3 申请日: 2012-07-08
公开(公告)号: CN102783365A 公开(公告)日: 2012-11-21
发明(设计)人: 王峰 申请(专利权)人: 成都威联达农业技术服务有限公司
主分类号: A01G1/06 分类号: A01G1/06
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610100 四川*** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 黄瓜 嫁接 育苗 方法
【权利要求书】:

1.一种无刺黄瓜嫁接育苗方法,其特征在于包括以下步骤:

a.培育黄瓜苗:选用优质种子,对种子进行处理和催芽,播种并进行播种后的管理;

b.培育砧木:砧木选用南瓜的种子培育而成;

c.嫁接:在砧木苗茎的较窄的一侧,靠近子叶,与砧木苗茎约成30~40°的夹角向前斜削1条长0.8~1.0cm的切口,切口深达茎粗的2/3左右;在黄瓜苗茎的较宽一侧,距子叶约2cm处与苗茎成30°左右的夹角,向前削一刀,刀口长度与砧木苗相同,刀口深达黄瓜苗茎粗的3/4左右;将黄瓜苗和砧木苗的苗茎切口对正、对齐,嵌合插好;用塑料夹从黄瓜苗一侧夹入,把两瓜苗的结合部位夹牢;

d. 嫁接后的管理;控制温度、湿度、水份和光照,并适时进行断根,嫁接苗达到2叶1心后定植。

2.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述a步骤中黄瓜苗播种密度为间距3~4cm。

3.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述a步骤中黄瓜苗播种后育苗床用地膜覆盖保温、保湿,床面温度保持白天25~32℃,夜间20℃左右;全苗后,床面温度保持白天22~28℃,夜间15℃左右。

4.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述b步骤中砧木苗采用畦面直播法,较黄瓜晚一天播种,砧木苗播种间距在2cm左右。

5.根据权利要求1所述的嫁接育苗方法,其特征在于:所述c步骤中进行嫁接的黄瓜苗要求2片子叶充分展开,第1片真叶露出大半或初展,子叶到地面之间的幼茎高5cm左右;砧木苗要求2片子叶初展或刚展平,未露心叶或刚露小尖,子叶到地面之间的苗茎高度4 cm左右。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都威联达农业技术服务有限公司,未经成都威联达农业技术服务有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210233590.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top