[发明专利]用于IGBT的键合真空吸附工装

说明书

技术领域

本发明涉及IGBT制备技术，尤其涉及一种用于IGBT的键合真空吸附工装。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，又叫绝缘栅双极晶体管，其因具有高频率，高电压，大电流，容易开通和关断的特性，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品；IGBT的封装工艺涉及多个关键技术，铝线键合就是其中之一；现有的键合工装普遍采用机械式夹紧固定，首先将工装固定在设备上，然后将产品放到工装上，定位，卡紧，进行键合；但是产品大多数为DBC（覆铜陶瓷基板），使用现有的机械式夹紧工装在工作时易对产品造成物理性伤害，如DBC边缘或者直角处等。

发明内容

本发明提供一种用于IGBT的键合真空吸附工装，用于克服现有技术中的缺陷，减少对产品造成损害。

本发明提供的用于IGBT的键合真空吸附工装具有基座、密封圈和至少三个定位销；所述密封圈及所述定位销底部均设在该基座上，所述基座上穿设有至少一个真空吸附孔，且所述真空吸附孔均位于该密封圈的内孔中，至少有三个所述定位销的中心连线呈三角形。

进一步地，所述基座上设有凹槽，所述密封圈底部卡设于该凹槽内，且该密封圈上部伸出该基座的上表面。

其中，所述定位销底部固定在该基座上。

特别是，所述基座包括通过紧固件连接的上基座和下基座，所述上基座与下基座之间设有密封垫；所述密封圈及定位销均设在所述上基座上，所述真空吸附孔均贯穿该上基座和下基座。

本发明的用于IGBT的键合真空吸附工装相对机械式工装，不用进行旋转紧固，直接将产品平放到工装的密封圈上，通过定位销调整好位置，将真空设备打开，即可以将产品吸附在基座的上表面上，使用方便并且不会对产品造成任何影响和破坏；同时，本发明的工装没有活动部件，使用期限更长，稳定性也高；减少了报废率，提高了产品质量和可靠性。

附图说明

图1为本发明提供的实施例一的俯视图；

图2为图1中沿A-A向剖视图；

图3为本发明提供的实施例二的主视图

图4为图3中沿B-B向剖视图。

具体实施方式

实施例一

如图1、图2所示，本发明提供的用于IGBT的键合真空吸附工装具有基座1、密封圈2和多个定位销3；密封圈2及定位销2底部均设在该基座1上，基座1上穿设有至少一个真空吸附孔11，真空吸附孔11均位于该密封圈2的内孔21中，至少有三个定位销3的中心连线呈三角形。本实施例中基座1上穿设有一个真空吸附孔11，具体数量可根据产品的外观尺寸及连接该真空吸附孔的真空设备的参数而定。

具体可在基座1上设有凹槽12，密封圈2底部卡设于该凹槽12内，且该密封圈2上部伸出该基座1的上表面。凹槽12的深度比密封圈2的厚度小0.2mm-0.5mm，这样保证吸附力的同时也可以保证产品的质量。

其中，定位销3底部固定在该基座1上。定位销3与基座1之间具体可采用焊接或螺纹连接。基座1上表面光滑，粗糙度小于3.2，无油渍。

使用时，可直接将待键合的产品10平放在密封圈2上，经定位销3对产品10进行定位，由于真空吸附孔11通过管道连接真空设备，启动真空设备可将产品10牢牢吸附在基座1上，相对现有的机械固定式工装，没有活动部件，不必进行频繁的螺紧，工装的使用期限更长，稳定性较高。真空吸附孔11可以根据实际情况进行数量的加减，开在密封圈2的内孔21中间，并与下部的真空回路保持连接。

实施例二

如图3、图4所示，在实施例一的基础上，基座1包括通过紧固件连接的上基座13和下基座14，上基座13与下基座14之间设有密封垫4；密封圈2及定位销3均设在上基座13上，真空吸附孔11均贯穿该上基座13和下基座14。

本实施例是将产品10通过真空吸附固定在工装上，外观尺寸是根据实际产品进行调整，将基座1分成上基座13和下基座14两部分，仅仅更换上基座13即可实现对不同外观尺寸的产品进行加工。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。