[发明专利]一种高挠性超薄压延铜箔的成形方法有效

专利信息
申请号: 201210231252.6 申请日: 2012-07-04
公开(公告)号: CN102716908A 公开(公告)日: 2012-10-10
发明(设计)人: 谢建新;刘雪峰;汪汐涌;李晶琨 申请(专利权)人: 北京科技大学
主分类号: B21B1/40 分类号: B21B1/40
代理公司: 北京金智普华知识产权代理有限公司 11401 代理人: 皋吉甫
地址: 100083*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 高挠性 超薄 压延 铜箔 成形 方法
【说明书】:

 

技术领域:

本发明属于有色金属箔材技术领域,特别是提供了一种高挠性超薄压延铜箔的成形方法。

背景技术:

压延铜箔(纯铜)具有纯度高、延展性好、导电性和挠曲性优异等特点,主要应用于挠性印制电路板、锂离子电池集流体、电磁屏蔽带、软连接、TAB带载体以及变压器等领域。近年来,随着电子、电气元件逐步向细线化或薄型化发展,高挠性超薄压延铜箔的重要性显著提升,用途也更为广泛。

传统压延铜箔生产的主要工艺流程为:原材料铜锭经过热轧后,反复地冷轧及中间退火直至规定厚度,对于软态压延铜箔还需要进行成品再结晶退火。目前压延铜箔生产主要从塑性压延加工条件(轧制变形量)以及再结晶退火工艺条件(晶粒组织结构)两方面着手,致力于开发提高压延铜箔耐挠曲性的技术[祝大同. 挠性PCB用基板材料的新发展(4)—FPC用压延铜箔的新成果. 印制电路信息,2005,(5):6-10]。关于高挠曲性压延铜箔的制备方法已有很多报道。例如,控制冷轧总压下率达到90%以上,使压延铜箔再结晶退火后立方织构发达的方法[波多野隆昭. 轧制铜箔及其制造方法. 中国发明专利:99106094.6,1999-12-08];在成品再结晶退火前,控制冷轧总压下率达到94%以上,同时满足每道次压下率在15%~50%之间,前三道次轧制压下率依次递增的方法[室贺岳海. 轧制铜箔及其制造方法. 中国发明专利:200710167476.4,2008-04-30]。上述制备方法所依据的主要理论为,通过控制压延铜箔的箔轧阶段的总变形量和每道次变形量,来提高{220}Cu面取向轧制织构的体积分数。{220}Cu面取向的晶粒在再结晶退火时可以作为立方织构的种晶,促进退火后立方织构的高取向生长。无论是轧制态铜箔,还是退火态铜箔,其晶粒的择优取向越集中,相邻晶粒间的杨氏模量差以及变形时滑移方向的角度差也就越小,从而可以缓解晶界处的应力集中,有利于阻碍裂纹的萌生与扩展,显著地提高耐挠曲疲劳寿命。从上述理论出发,日本日矿株式会社已经实现工业化生产厚度为12μm的超高挠曲性压延铜箔(HA箔),耐挠曲性疲劳寿命超过30000次。但是,目前压延铜箔生产都是采用单张轧制的方法,随着冷轧总变形量的不断增加,加工硬化程度加剧,使得每一道次的压下率难于控制,生产效率降低,同时易发生边裂和断带,成形难度加大。特别是,采用现有的单张轧制方法,难以成形厚度在10μm以下的HA箔。

随着高新技术产品的不断发展,对压延铜箔的质量要求也越来越高。以挠性覆铜板用压延铜箔为例,如何进一步减小厚度尺寸,提高耐挠曲性,成为了越来越迫切的问题。

发明内容:

双合轧制是一种在两张金属带材之间均匀涂覆一层双合油,然后将两张金属带材重合在一起,同时进行轧制的成形方式。这种轧制方式克服了轧辊的弹性压扁值,突破了单张轧制的厚度极限,可以生产出传统单张轧制方法难以成形的超薄金属箔材。在双合轧制成形中,除了工艺参数的合理匹配和精确控制外,双合油的选取是另一个更为重要的影响因素,是减小轧制过程中两张金属带材之间的滑动,保证轧制过程稳定进行以及双合轧制后两张超薄金属箔材有效分离的关键。工艺参数和双合油都是双合轧制中的核心技术,也是生产中的难点,是制约超薄金属箔材能否实现双合轧制成形的瓶颈技术,将决定着超薄金属箔材的产品质量和成材率。不同的金属箔材进行双合轧制时,工艺参数和双合油的选取都不一样,特别是要实现二者之间的合理组合以及二者与金属材料本身之间的精确匹配更是难点,到目前为止都没有成熟的理论和经验可以直接借鉴或参考,完全需要针对具体的金属材料开展大量的实验和深入的研究。正因为如此,迄今双合轧制技术只在超薄铝箔的轧制中获得了成功应用,而在其他金属箔材的成形方面,尚未见到双合轧制技术的成功应用和相关报道。

另外,本发明者的研究结果表明:与增加轧制压下率相比,在铜箔的轧制成形中,叠合摩擦条件更有利于促进铜型织构({112}<111>)向黄铜型织构({110}<211>)的转变。即采用双合轧制方法生产压延铜箔时,可以进一步提高黄铜型织构在整体轧制织构中的占有率和取向分布强度值,从而提高轧制态压延铜箔的耐挠曲性。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京科技大学,未经北京科技大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210231252.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top