[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一导电类型半导体衬底（10），其具有衬底表面（10a）；

多个第二导电类型沟道区（13），其邻近于所述衬底表面（10a）设置；

多个第二导电类型减薄区（18），其邻近于所述衬底表面（10a）设置，在平行于所述衬底表面（10a）的方向上布置所述减薄区（18）和所述沟道区（13），使得至少一个减薄区（18）设置在相邻的沟道区（13）之间；

第一导电类型发射极区（14），其设置在每个所述沟道区（13）的表面层部分上；

第一导电类型空穴阻挡层（19），其设置在每个所述减薄区（18）中，以将所述减薄区（18）划分为邻近于所述衬底表面（10a）的第一部分（18a）和邻近于所述减薄区（18）的底部的第二部分（18b）；

发射极电极（21），其连接至所述发射极区（14）和所述第一部分（18a）；

集电极层（23），其设置在所述半导体衬底（10）中的与所述沟道区（13）和所述减薄区（18）分离的位置；以及

集电极电极（24），其电连接至所述集电极层（23），其中

所述空穴阻挡层（19）的面密度小于或等于4.0×1012cm-2。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分（18a）的面密度大于或等于1.1×1012cm-2。

3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

所述集电极层（23）在一个部分提供第一导电类型阴极层（27），并且

所述半导体衬底（10）在平行于所述衬底表面（10a）的方向上包括作为IGBT元件的IGBT区段（25）和作为二极管元件的二极管区段（26），所述IGBT区段（25）由包括除所述阴极层（27）以外的所述集电极层（23）的区段来限定，所述二极管区段（26）由包括所述阴极层（27）的区段来限定。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一部分（18a）的面密度小于或等于3.5×10¹²cm^-2。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述空穴阻挡层（19）也设置在所述二极管区段（26）中。

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

所述半导体衬底（10）包括作为漂移层的漂移区，并且

所述漂移区形成有寿命抑制器。

7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中，

所述半导体衬底（10）具有邻近于所述衬底表面（10a）的第二导电类型基极层（11）和穿透所述基极层（11）以将所述基极层（11）划分为多个区域的多个沟槽（12），

由所述沟槽（12）所划分的所述基极层（11）的所述多个区域来提供所述沟道区（13）和所述减薄区（18），并且

每个所述沟槽（12）填充有栅极绝缘膜（16）和栅极电极（17），所述栅极绝缘膜（16）设置在所述沟槽（12）的壁表面上，所述栅极电极（17）设置在所述栅极绝缘膜（16）上。