[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

第一芯片搭载部，所述第一芯片搭载部具有导电性；

第一半导体芯片，所述第一半导体芯片具有第一主表面和处于所述第一主表面相反一侧的第一背面，所述第一背面经由导电性接合材料与所述第一芯片搭载部接合；以及

封装部，所述封装部对所述第一半导体芯片及所述第一芯片搭载部的至少一部分进行封装，

该半导体器件的特征在于，

在所述第一半导体芯片上形成有漏极彼此电连接且栅极彼此电连接的第一MOSFET及第二MOSFET，

所述第一MOSFET形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第一区域上，

所述第二MOSFET形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面的第二区域上，并且所述第二MOSFET是用于检测流经所述第一MOSFET的电流的元件，

与所述第一MOSFET、所述第二MOSFET的栅极电连接的第一栅极焊盘、与所述第一MOSFET的源极电连接的第一源极焊盘、以及与所述第二MOSFET的源极电连接的第二源极焊盘形成于所述第一半导体芯片的所述第一主表面上，

与所述第一MOSFET、所述第二MOSFET的漏极电连接的漏极电极形成于所述第一半导体芯片的所述第一背面上，

在所述第一半导体芯片的所述第一主表面上，所述第二区域的面积比第一区域小，且所述第二区域位于所述第二源极焊盘的内侧。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，

形成于所述第二区域的所述第二MOSFET的源极区域与所述第二源极焊盘经由形成于所述第一半导体芯片的源极用布线而电连接。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第一半导体芯片的所述第一主表面上，所述第二区域配置在所述第一栅极焊盘的内侧。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第一半导体芯片的所述第一主表面上，俯视时所述第二区域被所述第一区域所包围。

5.如权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，

在所述第一半导体芯片的所述第一主表面上，俯视时所述第二区域被所述第一源极焊盘所包围。

6.如权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，

根据流经所述第二MOSFET的电流来控制所述第一MOSFET。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第一导体部，所述第一导体部的至少一部分被所述封装部所封装，

其中，所述第一源极焊盘与所述第一导体部经由第一导体板而电连接，

在所述第一半导体芯片的主表面上，俯视时所述第二区域与所述导体板重合。

8.如权利要求7所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第二半导体芯片，所述第2半导体芯片搭载在所述第一导体部上；以及

第二导体部，所述第2导体部的至少一部分被所述封装部所封装，

其中，所述第二半导体芯片具有第二主表面及位于所述第二主表面相反一侧的第二背面，

且所述第二背面经由导电性接合材料而与所述第一导体部接合，

在所述第二半导体芯片上，形成有第三MOSFET，

与所述第三MOSFET的栅极电连接的第二栅极焊盘、以及与所述第三MOSFET的源极电连接的第三源极焊盘形成于所述第二半导体芯片的所述第二主表面上，

与所述第三MOSFET的漏极电连接的漏极电极形成于所述第二半导体芯片的所述第二背面上，

所述第三源极焊盘与所述第二导体部经由第二导体板而电连接。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

第二芯片搭载部；以及

第三半导体芯片，所述第三半导体芯片具有第三主表面及位于所述第三主表面相反一侧的第三背面，且所述第三背面与所述第二芯片搭载部接合，

其中，在所述第三半导体芯片上，形成有控制所述第一MOSFET和所述第二MOSFET的控制电路，

所述第一栅极焊盘、所述第二栅极焊盘及所述第二源极焊盘分别经由引线而与所述第二半导体芯片的焊盘电连接。