[发明专利]伽码电压产生装置和方法

权利要求书

1.一种伽玛电压产生装置，其特征在于，包括伽码参考电压产生单元、极性翻转信号产生单元、和伽码电压产生单元，其中，

所述伽码参考电压产生单元，用于向所述伽码电压产生单元提供伽码参考电压；

该伽码参考电压包括正伽码参考电压和负伽码参考电压，该正伽码参考电压和负伽码参考电压的绝对值相等而极性相反；

所述极性翻转信号产生单元，用于向所述伽码电压产生单元提供极性翻转信号；

所述伽码电压产生单元，用于在该极性翻转信号的控制下，在奇数帧和偶数帧翻转伽码参考电压的极性，并在奇数帧和偶数帧采用同一组分压电阻对该伽码参考电压进行分压而产生伽码电压。

2.如权利要求1所述的伽码电压产生装置，其特征在于，

所述伽码电压产生单元包括伽码参考电压选择模块和分压模块；

所述伽码参考电压选择模块，用于在该极性翻转信号的控制下，在奇数帧和偶数帧翻转伽码参考电压的极性；

所述分压模块，用于在奇数帧和偶数帧采用同一组分压电阻对来自所述伽码参考电压选择模块的伽码参考电压进行分压而产生伽码电压。

3.如权利要求1所述的伽码电压产生装置，其特征在于，所述伽码参考电压产生单元是DC/DC转换器。

4.如权利要求1所述的伽码电压产生装置，其特征在于，所述极性翻转信号产生单元是时序控制器。

5.如权利要求1至4中任一权利要求所述的伽码电压产生装置，其特征在于，所述伽码参考电压选择模块包括NMOS晶体管和PMOS晶体管，其中，

所述极性翻转信号接入所述NMOS晶体管的栅极和所述PMOS晶体管的栅极；

所述负伽码参考电压接入所述NMOS晶体管的源极和所述PMOS晶体管M2的源极；

所述正伽码参考电压接入所述NMOS晶体管的漏极，所述负伽码参考电压接入所述PMOS晶体管的漏极。

6.一种伽码电压产生方法，其特征在于，包括以下步骤：

伽码参考电压产生步骤：向所述伽码电压产生单元提供伽码参考电压；所述伽码参考电压包括正伽码参考电压和负伽码参考电压，该正伽码参考电压和负伽码参考电压的绝对值相等而极性相反；

极性翻转信号产生步骤：向所述伽码电压产生单元提供极性翻转信号；

伽码电压产生步骤：在该极性翻转信号的控制下，在奇数帧和偶数帧翻转伽码参考电压的极性；在奇数帧和偶数帧采用同一组分压电阻对来自该伽码参考电压进行分压而产生伽码电压。

7.如权利要求6所述的伽码电压产生方法，其特征在于，所述伽码电压产生步骤包括：在奇数帧采用一组分压电阻对该正伽码参考电压进行分压而产生正伽码电压，而在偶数帧采用该组分压电阻对该负伽码参考电压进行分压而产生负伽码电压；所述伽码参考电压包括正伽码参考电压和负伽码参考电压，该正伽码参考电压和负伽码参考电压的绝对值相等而极性相反。

8.如权利要求6或7所述的伽码电压产生方法，其特征在于，所述伽码电压产生步骤包括：在偶数帧采用一组分压电阻对该正伽码参考电压进行分压而产生正伽码电压，而在奇数帧采用该组分压电阻对该负伽码参考电压进行分压而产生负伽码电压。