[发明专利]一种YBCO涂层导体的制备方法无效

专利信息
申请号: 201210229192.4 申请日: 2012-07-03
公开(公告)号: CN102751044A 公开(公告)日: 2012-10-24
发明(设计)人: 丁发柱;古宏伟;张腾;王洪艳;屈飞;戴少涛;邱清泉 申请(专利权)人: 中国科学院电工研究所
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00
代理公司: 北京科迪生专利代理有限责任公司 11251 代理人: 关玲
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 ybco 涂层 导体 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种第二代高温超导带材的制备方法,特别涉及一种YBCO涂层导体的制备方法。

背景技术

第二代高温超导带材是指以YBCO-123系超导材料为主的稀土类钡铜氧化物超导涂层导体。它由金属合金基带、种子层、阻挡层、帽子层、稀土钡铜氧超导层、保护层以及稳定层等构成,是一种多层结构。与第一代Bi系高温超导带材相比,第二代高温超导带材在高磁场下有负载高电流的能力,可以在较高的温度和磁场下应用,是各国在高温超导领域竞相研究开发的焦点。目前,国际上至少有5家单位都制备出了长度超过500m,Ic超过250A的带材。尤其是日本的Fuikura公司,2011年度制备出了长度为816.4m,平均电流为572A的YBCO涂层导体,其I×L值到达466,981Am,创造了新的世界记录,向批量生产迈出了一大步。但是现在制备YBCO带材的成本仍然是铜线的50倍,必须进一步提高YBCO涂层导体的性能才能满足更广泛的要求。

YBCO作为涂层导体能够在强电领域应用,主要是由于它具有能够负载电流且不损耗的特性。对同一根带材来说,增加它的临界电流密度(Jc)也就提高了它的载流能力。因此提高YBCO超导膜的临界电流密度是近几年来的研究热点。

美国洛斯阿拉莫斯国家实验室和剑桥大学的J.L.MacManus-Driscoll等人则在YBCO陶瓷靶中直接掺入氧化锆和过量的钡粉末,采用PLD法按照制备YBCO薄膜的工艺条件得到了含有尺寸为10nm的BaZrO3(BZO)颗粒的复合薄膜。其临界电流密度在整个外加磁场都高于纯YBCO薄膜的临界电流密度,尤其是在外加磁场为7T时,它的临界电流密度是纯YBCO薄膜的五倍。西班牙巴塞罗那大学2007年在Nature materials上报道了采用三氟乙酸盐-金属有机沉积法(TFA-MOD法)制备了含有纳米BaZrO3的YBCO薄膜。其临界电流密度不但比TFA-MOD法制备的纯YBCO薄膜有了很大提高,而且其钉扎力在77K、外加磁场2T的条件下达到最大值为21GN m-3,比PLD法制备的BZO/YBCO纳米复合薄膜提高了175%,比在4.2K的NiTb合金的性能提高了60%。目前国内关于YBCO超导膜的专利绝大多数是YBCO薄膜的制备方法,只有中国专利CN101320604A(授权公告号101320604B)提及了在YBCO超导膜中添加SrZrO3提高其临界电流密度的作用。但该专利中制备的掺杂SrZrO3只是在高场下临界电流密度才有所提高。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术制备的YBCO涂层导体临界电流密度较低的弱点,提供一种有效提高YBCO薄膜载流能力的制备方法。

本发明通过采用三氟乙酸盐-金属有机沉积(TFA-MOD)法制备含有纳米氧化钇和纳米铈酸钡的YBCO薄膜,本发明在含有三氟乙酸钇、三氟乙酸钡和三氟乙酸铜的前驱液中添加松油醇和乙酰丙酮铈,并且使三氟乙酸钇的配比过量。通过控制金属离子的浓度,在经过低温热分解和高温烧结后,制备了含有纳米氧化钇和纳米铈酸钡的YBCO超导薄膜,利用纳米氧化钇和纳米铈酸钡两种纳米颗粒协同作用,提高YBCO薄膜的磁通钉扎作用。

本发明的具体步骤顺序如下:

(1)按照Y:Ba:Cu=1.2-1.5:2:3的摩尔比把Y(CH3COO)3、Ba(CH3COO)2和Cu(CH3COO)2三种粉末混合,于室温下溶于含有10-30mol%的三氟乙酸的去离子水中,配成溶液,所述的溶液中溶质与溶剂的摩尔比为1:100;

(2)将步骤(1)配制的所述的溶液经磁力搅拌器搅拌1-3h,再采用旋转蒸发仪蒸除溶剂得到凝胶;

(3)将所述步骤(2)制得的凝胶加入甲醇中,所述步骤(2)制得的凝胶中的金属离子总浓度与甲醇的摩尔比为1:50;加入凝胶的甲醇溶液经磁力搅拌器搅拌0.5-1.5h后,再采用旋转蒸发仪蒸除溶剂,以进一步去除水分等杂质,得到纯净的凝胶;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院电工研究所,未经中国科学院电工研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210229192.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top