[发明专利]收发器及集成电路

权利要求书

1.一种集成电路，其特征在于，包括：一平衡不平衡变压器，一晶体管对以及一衰减电感绕组；其中，

该平衡不平衡变压器，具有一外部边缘，包括：

一一次绕组，接收一输入信号；以及

一二次绕组，磁性耦接至该一次绕组，并且将该输入信号转换至一差分形式；

该晶体管对，连接至该二次绕组，放大该输入信号；

该衰减电感绕组，连接至该晶体管对，位于该平衡不平衡变压器的外部边缘之内。

2.如权利要求1所述的集成电路，其中，该平衡不平衡变压器还具有一内部边缘，并且该衰减电感绕组还由该平衡不平衡变压器的该内部边缘所环绕。

3.如权利要求1所述的集成电路，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组均具有一线圈，这两个线圈相互平行，并且该二次绕组与该衰减电感绕组的该平行的两个线圈之间具有一间隔。

4.如权利要求3所述的集成电路，其中，该间隔大小由该二次绕组以及该衰减电感绕组之间的磁耦合系数k而决定。

5.如权利要求3所述的集成电路，其中，该间隔在5到10微米的范围之内。

6.如权利要求3所述的集成电路，其中，该间隔用于增加该二次绕组以及该衰减电感绕组之间的磁耦合效应。

7.如权利要求3所述的集成电路，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组的该平行的两个线圈彼此相邻。

8.如权利要求3所述的集成电路，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组的该平行的两个线圈的电流方向相同，以加强该衰减电感绕组的感应效应。

9.如权利要求1所述的集成电路，其中，该平衡不平衡变压器以及该衰减电感绕组设置在该集成电路的一相同层或不同层上。

10.如权利要求1所述的集成电路，其中该衰减电感绕组包括三个端点，其中一端点连接至接地，另外两个端点分别连接至该晶体管对中的两个晶体管。

11.如权利要求1所述的集成电路，其中，该晶体管对为一MOS晶体管对，该二次绕组连接至该MOS晶体管对的栅极，该衰减电感绕组的该另外两个端点分别连接至该MOS晶体管对的两个MOS晶体管的源极。

12.如权利要求1所述的集成电路，其中，该一次绕组以及该二次绕组具有不同数量的圈数，并且该平衡不平衡变压器对该输入信号提供电压增益。

13.一种收发器，其特征在于，包括：一平衡不平衡变压器及一接收器；其中，

该平衡不平衡变压器，包括：

一一次绕组，接收一输入信号；以及

一二次绕组，磁性耦接至该一次绕组，将该输入信号转换至一差分形式；以及

该接收器，包括：

一晶体管对，连接至该二次绕组并且放大该输入信号；以及

一衰减电感绕组，连接至该晶体管对，位于该平衡不平衡变压器的外部边缘之内。

14.如权利要求13所述的收发器，其特征在于，还包括一传送器，放大一输出信号，其中，该平衡不平衡变压器还将该输出信号转换至一单端形式。

15.如权利要求13所述的收发器，其中，该平衡不平衡变压器还具有一内部边缘，并且该衰减电感绕组还由该平衡不平衡变压器的该内部边缘所环绕。

16.如权利要求13所述的收发器，其中，该二次绕组以及该衰减电感绕组各具有一线圈，该两个线圈相互平行，并且该二次绕组以及该衰减电感绕组的该平行的两个线圈之间具有一间隔。

17.如权利要求16所述的收发器，其中，该间隔用于增加该二次绕组以及该衰减电感绕组之间的磁耦合效应。