[发明专利]一种用于半导体芯片封装用的导电胶及其制备方法无效

专利信息
申请号: 201210228814.1 申请日: 2012-07-03
公开(公告)号: CN102766426A 公开(公告)日: 2012-11-07
发明(设计)人: 吴光勇;王建斌;陈田安;解海华 申请(专利权)人: 烟台德邦科技有限公司
主分类号: C09J163/00 分类号: C09J163/00;C09J9/02;H01B1/22
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 杨立
地址: 264006 山东*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 半导体 芯片 封装 导电 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种用于半导体芯片封装用的导电胶,其特征在于,包括如下重量百分比的原料:微米级银粉70%~85%,环氧树脂6%~12%,环氧活性稀释剂2%~6%,增韧树脂2%~6%,固化剂2%~6%,固化促进剂0.5%~1%,偶联剂0.5%~2%,抗氧化剂0.1%~1%。

2.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装用的导电胶,其特征在于,所述微米级银粉的形状为片状、球状或树枝状中的任意一种,粒径范围为0.5微米~100微米。

3.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装用的导电胶,其特征在于,所述环氧树脂为双酚A环氧树脂、双酚F环氧树脂、含有萘环结构的环氧树脂、含有联苯结构的环氧树脂、丙烯酸改性环氧树脂、环氧改性丙烯酸树脂、有机硅改性环氧树脂或环氧改性有机硅树脂中的任意一种或几种的混合;所述环氧活性稀释剂为1,4-丁二醇缩水甘油醚、新戊二醇缩水甘油醚、1,6-己二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、二乙二醇缩水甘油醚、1,4-环己烷二醇缩水甘油醚、三羟甲基丙烷缩水甘油醚或聚乙二醇二缩水甘油醚中的任意一种或几种的混合物;所述增韧树脂为纳米二氧化硅粒子增韧环氧树脂、纳米橡胶粒子增韧环氧树脂或双马来酰亚胺树脂增韧环氧树脂中的任意一种或几种的混合物;所述固化剂为有机胺类和/或有机酸酐类。

4.根据权利要求3所述的用于半导体芯片封装用的导电胶,其特征在于,所述有机胺类为双氰胺及其衍生物、二氨基二苯甲烷及其衍生物、二氨基二苯醚及其衍生物、二氨基二苯砜及其衍生物中的任意一种或几种的混合物;所述有机酸酐类为四氢苯酐及其衍生物、六氢苯酐及其衍生物、甲基四氢苯酐及其衍生物、甲基六氢苯酐及其衍生物、纳迪克酸酐及其衍生物、甲基纳迪克酸酐及其衍生物中的任意一种或几种的混合物。

5.根据权利要求1所述的用于半导体芯片封装用的导电胶,其特征在于,所述固化促进剂为2-十一烷基咪唑、2-十七烷基咪唑,2-乙基-4-甲基咪唑,1-氰乙基-2-乙基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟基甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟基甲基咪唑、2,4-二氨基-6-(2-十一烷基咪唑-1-乙基)-S-三嗪及以上化合物的衍生物及以上化合物的盐中的任意一种或几种的混合物;所述偶联剂为3-氨丙基三甲氧基硅烷,3-氨丙基三乙氧基硅烷,3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷,3-氨丙基三羟基硅烷,3-(3-氨基苯氧基)丙基三甲氧基硅烷,N-(2-胺乙基)-3-胺丙基三甲氧硅烷,己二胺基甲基三甲氧基硅烷,N-(2-氨乙基)-11-氨基十一烷基三甲氧基硅烷,N-氨乙基-3-氨丙基甲基二甲氧基硅烷中的任意一种或几种的混合物;所述抗氧化剂为受阻酚类和/或含磷化合物。

6.根据权利要求5所述的用于半导体芯片封装用的导电胶,其特征在于,所述受阻酚类为2,2′-亚甲基双-(4-甲基-6-叔丁基苯酚)、3-(3,5-二叔丁基-4-羟基苯基)丙酸正十八烷醇酯、四(3,5-二叔丁基-4-羟基)苯丙酸季戊四醇酯中的任意一种或几种的混合物;所述含磷化合物为双十八烷基季戊四醇双亚磷酸酯、三苯基膦、3,5-二叔丁基-4-羟基苄基二乙基膦酸酯中的任意一种或几种的混合物。

7.一种用于半导体芯片封装用的导电胶的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:

(1)将重量百分比为6%~12%的环氧树脂、2%~6%的增韧树脂和2%~6%的环氧活性稀释剂进行第一次混合,得到均匀混合物A;

(2)将重量百分比为2%~6%的固化剂、0.5%~1%的固化促进剂、0.5%~2%的偶联剂和0.1%~1%的抗氧化剂加入到步骤(1)制得的混合物A中,进行第二次混合,得到均匀混合物;

(3)将重量百分比为70%~85%的银粉加入到步骤(2)制得的混合物中,进行第三次混合,即得所述用于半导体芯片封装用的导电胶。

8.根据权利要求8所述的制备方法,其特征在于,在步骤(2)中还包括第二次混合后再进行研磨的步骤。

9.根据权利要求9所述的制备方法,其特征在于,所述研磨的工艺条件为:在三辊研磨机上于室温下进行研磨30分钟~60分钟。

10.根据权利要求7至9任一项所述的制备方法,其特征在于,所述第一次混合的工艺条件为:在室温下混合30分钟~60分钟;所述第二次混合的工艺条件为:在室温下混合30~60分钟;所述第三次混合的工艺条件为:在室温下施加真空混合30分钟~60分钟。

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