[发明专利]一种MOSFET器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201210228655.5 | 申请日： | 2012-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN103531472A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 卜伟海;王文博 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/20;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种MOSFET器件的制备方法，所述方法包括：
提供半导体衬底，所述半导体衬底中形成有浅沟槽隔离；
在所述半导体衬底上形成栅极结构；
在所述栅极结构的两侧形成栅极间隔壁；
以所述栅极间隔壁为掩膜，蚀刻所述衬底，以在所述衬底的源漏区形成第一沟槽；
在所述第一沟槽侧壁和所述栅极间隔壁两侧形成第二间隔壁；
以所述第二间隔壁为掩膜各向同性过蚀刻所述半导体衬底，以形成第二沟槽；
在所述第二沟槽表面选择性外延生长外延层，外延同时进行与源漏相反类型的原位掺杂；
蚀刻去除所述第二间隔壁；
选择性外延生长源漏，外延同时进行原位掺杂；
在所述栅极间隔壁两侧形成第三间隔壁。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法用于制备NMOS和PMOS。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，选用B、In或Tl进行与所述NMOS源漏相反类型的原位掺杂。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，选用P或As进行与所述PMOS源漏相反类型的原位掺杂。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的栅极结构包括在半导体衬底上的依次沉积的栅介质层、栅材料层和硬掩膜层。
6.根据权利要求5所述的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述栅介质层材料为二氧化硅、氮氧化硅和氧化铪中的一种或几种。
7.根据权利要求5所述的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述栅材料层材料为多晶硅或金属栅材料。
8.根据权利要求1所述的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述栅极间隔壁为氧化硅和氮化硅的一种或两种组合。
9.根据权利要求1所述的MOSFET的制备方法，其特征在于，形成所述第一沟槽的刻蚀量不超过栅长的1/2。
10.根据权利要求1所述的MOSFET的制备方法，其特征在于，形成所述第一沟槽的刻蚀量为5-30nm。
11.根据权利要求1所述的MOSFET的制备方法，其特征在于，形成所述第二沟槽的刻蚀量为10-100nm。
12.根据权利要求1所述的MOSFET的制备方法，其特征在于，所述选择性外延选自LPCVD、VLPCVD、PECVD、UHVCVD、RTCVD、APCVD和MBE中的一种。
13.一种根据权利要求1-12中任一项所述的制备方法制备的MOSFET器件。
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